[发明专利]处理基板的设备和排放超临界流体的方法有效
申请号: | 201210228678.6 | 申请日: | 2012-07-02 |
公开(公告)号: | CN102856162A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 崔龙贤;金基峰;金禹永;朴正善 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 韩国忠淸南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 排放 临界 流体 方法 | ||
1.一种处理基板的设备,所述设备包括:
容器,所述容器用于提供超临界流体;
排出管线,所述超临界流体通过所述排出管线从所述容器排放;和
防冻单元,所述防冻单元设置在所述排出管线中,以防止所述超临界流体冻结。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述防冻单元包括:缓冲构件,所述缓冲构件提供防止所述超临界流体的压力突然下降的缓冲空间。
3.根据权利要求2所述的设备,其中,所述缓冲构件包括:
壳体,所述壳体提供所述缓冲空间;
流入管,所述超临界流体通过所述流入管引入到所述缓冲空间中;
排放管,所述超临界流体通过所述排放管从所述缓冲空间排放出;和
至少一个隔离壁,所述至少一个隔离壁设置在所述壳体内以具有垂直于长度方向的平面以将所述缓冲空间隔离成多个空间,在所述多个空间中所述超临界流体的压力逐步下降。
4.根据权利要求3所述的设备,其中,在所述至少一个隔离壁中限定排出孔,以及
当以壳体长度方向查看时,限定在彼此相邻的所述隔离壁中的排出孔被限定在彼此不同的位置上。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,临近流入管的隔离壁的排出孔被限定在一位置,当从壳体长度方向查看时,该位置与流入管所处位置不同,以及
临近排放管的隔离壁的排出孔被限定在一位置,当从壳体长度方向查看时,该位置与排放管所处位置不同。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的设备,其中,所述防冻单元进一步包括加热所述超临界流体的加热器。
7.根据权利要求6所述的设备,其中,所述加热器设置在所述壳体内。
8.根据权利要求3至5中任一项所述的设备,其中,所述缓冲器构件进一步包括声音吸收构件,所述声音吸收构件设置在所述壳体内用来吸收所述超临界流体所产生的噪声。
9.根据权利要求8所述的设备,其中,所述声音吸收构件具有金属丝网结构,所述金属丝网结构中断所述超临界流体的流动以防止所述超临界流体的压力突然下降。
10.根据权利要求3至5中任一项所述的设备,其中,所述流入管具有连接到排出管线的一端和沿所述壳体长度方向插入到壳体中的另一端,以及
排放所述超临界流体的流入孔被限定在一部分中,在该部分中,所述流入管以垂直于壳体长度方向的方向插入到壳体中。
11.根据权利要求3至5中任一项所述的设备,其中,所述缓冲构件包括反向压力调节器,所述反向压力调节器设置在所示排放管中以不断维持所述缓冲空间中的压力。
12.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所述防冻单元包括设置在所示排出管线中的加热器。
13.根据权利要求1至5中任一项所述的设备,其中,所述容器包括处理室,在所述处理室内使用超临界流体来执行干燥工艺。
14.根据权利要求1至5中任一项所述的设备,其中,所述容器包括供水槽,所述供水槽用来将所述超临界流体供应至处理室内,在所述处理室内使用超临界流体来执行干燥工艺。
15.根据权利要求1至5中任一项所述的设备,其中,提供多个所述防冻单元,以及
所述多个防冻单元被彼此串联连接。
16.一种从容器排放超临界流体的方法,所述方法包括:在连接至所述容器以排放所述超临界流体的排出管线中提供缓冲空间,以防止所述超临界流体的压力突然下降,从而防止所述超临界流体冻结。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,在所述超临界流体的排放期间加热所述超临界流体。
18.根据权利要求16所述的方法,其中,对经过所述缓冲空间的所述超临界流体提供声音吸收构件以吸收所述超临界流体所产生的噪声。
19.根据权利要求16-18中任一项所述的方法,其中,所述超临界流体从处理室排放,在所述处置室中使用超临界流体执行干燥工艺。
20.根据权利要求16-18中任一项所述的方法,其中,超临界流体从供应超临界流体至处理室的供水槽中排放出,在所述处理室内使用超临界流体执行干燥工艺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造