[发明专利]处理基板的设备和排放超临界流体的方法

说明书

技术领域

本发明涉及处理基板的设备和排放超临界流体的方法，尤其涉及使用超临界流体来处理基板的设备和使用所述设备排放超临界流体的方法。

背景技术

半导体器件通过包括光刻工艺的各种工艺制成，光刻工艺用于在诸如硅片等的基板上形成电路图案。当制造半导体器件时，可以产生各种外来物质，诸如微粒、有机污染物、金属杂质等等。外来物质可导致基板缺陷而对半导体器件的产量直接造成不良的影响。由此，在半导体制造工艺中可能必需包括用于移除杂质的清洗工艺。

一般来说，在典型的清洗工艺中，余留在基板上的外来物质用洗涤剂去除，然后使用去离子水（DI-水）清洗基板，使用异丙醇（IPA）干燥清洗后的基板。然而，在半导体器件具有精细的电路图案的情况中，干燥工艺可具有低效率。另外，由于电路图案的损伤，即在干燥工艺中经常发生的图案皱缩(collapse)，干燥工艺不适合于具有约30nm或更小的线宽的半导体器件。

由此，为解决上述的局限性，关于使用超临界流体来干燥基板的技术方面的研究正在积极地进行。

发明内容

本发明提供一种处理基板的设备和排放超临界流体的方法，在超临界流体被排放时，所述设备防止所述超临界流体冻结。

本发明还提供一种处理基板的设备和排放超临界流体的方法，在超临界流体被排放时，所述设备移除产生的噪声。

本发明的特征不限于前述内容，本领域技术人员根据本说明书和附图将清楚地理解本文未描述的其它特征。

本发明提供一种处理基板的设备和排放超临界流体的方法。

本发明实施例提供处理基板的设备，所述设备包括：容器，所述容器用于提供超临界流体；排出管线（vent line），所述超临界流体通过所述排出管线从所述容器排放；和防冻单元，所述防冻单元设置在所示排出管线中，以防止所述超临界流体被冻结。

在一些实施例中，所述防冻单元可包括缓冲构件，所述缓冲构件提供防止所述超临界流体的压力突然下将的缓冲空间。

在其它实施例中，所述缓冲构件可包括：壳体，所述壳体提供所述缓冲空间；流入管，所述超临界流体通过所述流入管引入到所述缓冲空间中；排放管（discharge tube），所述超临界流体通过所述排放管从所述缓冲空间排放；和至少一个隔离壁，所述至少一个隔离壁设置在所述壳体内，以具有垂直于长度方向的平面以将所述缓冲空间隔离成多个空间，在所述多个空间中所述超临界流体的压力逐步下降。

仍然在其它实施例中，在所述至少一个隔离壁中可限定排出孔，且当从壳体的长度方向查看时，被在彼此相邻的隔离壁中限定的的排出孔可被限定在彼此间不同的位置上。

还在其它实施例中，临近流入管的隔离壁的排出孔可被限定在一位置，当从壳体的长度方向查看时，该位置与流入管所处位置不同，且隔离壁的临近排放管的排出孔可被限定在一位置，当从壳体长度方向查看时，该位置与排放管所处位置不同。

在其它实施例中，防冻单元可进一步包括加热所述超临界流体的加热器。

在进一步实施例中，所述加热器可以设置在在所述壳体内。

在进一步实施例中，所述缓冲器构件可进一步包括声音吸收构件，所述声音吸收构件设置在所述壳体内用来吸收所述超临界流体所产生的噪声。

还在进一步实施例中，所述声音吸收构件可具有金属丝网结构，所述金属丝网结构中断超临界流体的流动以防止所述超临界流体的压力突然下降。

在进一步实施例中，所述流入管壳具有连接到排出管线的一端和沿壳体长度方向插入到壳体中的另一端，以及排放所述超临界流体的流入孔可限定在一个部分中，在该部分中，所述流入管以垂直于壳体长度方向的方向插入到壳体中。

在进一步实施例中，所述缓冲构件可包括反向压力调节器，所述反向压力调节器设置在所示排放管中以不断维持所述缓冲空间中的压力。

在进一步实施例中，所述防冻单元可包括设置在所示排出管线中的加热器。

还在更进一步的实施例中，所述容器可包括处理室，在所述处理室内使用超临界流体来执行干燥工艺。

仍在更进一步的实施例中，所述容器可包括用来供应所述超临界流体至处理室内的供水槽，在所述处理室内使用超临界流体来执行干燥工艺。

在进一步实施例中，可提供多个所述防冻单元，且所述多个防冻单元可彼此串联连接。

在本发明的其它实施例中，从容器内排放超临界流体的方法包括：在连接至所述容器以排放所述超临界流体的排出管线中提供缓冲空间，以防止所述超临界流体的压力突然下降，从而防止所述超临界流体冻结。