[发明专利]发光器件无效
申请号: | 201210229310.1 | 申请日: | 2003-02-13 |
公开(公告)号: | CN102760836A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 汤春龙;王忠忠 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件,包括:
衬底上的绝缘薄膜;
所述绝缘薄膜上的彩色滤光器,所述彩色滤光器包括至少第一、第二和第三彩色层,其中所述第一彩色层位于所述第二和第三彩色层之间;
所述第一彩色层上的第一电极;
覆盖所述第一电极的端部的阻挡层;
发光元件,包括发光层,所述发光层包括所述第一电极上的有机化合物;
所述发光元件上的第二电极,
其中形成相互相邻的彩色层的边界区,及
其中所述边界区与所述阻挡层重叠。
2.一种发光器件,包括:
以矩阵形状设在象素部中的发光元件,所述发光元件包括:
具有半透明特性的第一电极;
覆盖所述第一电极的端部的阻挡层;
在所述第一电极上的包括有机化合物的发光层;
在所述发光层上的具有不透明特性的第二电极;
相应于各象素形成的彩色滤光器,所述彩色滤光器包括至少第一、第二和第三彩色层,
其中所述第一彩色层位于所述第二和第三彩色层之间,
其中所述第一彩色层与绝缘薄膜相接触,
其中所述第一彩色层位于所述发光元件和所述绝缘薄膜之间,
其中形成相互相邻的彩色层的边界区,
其中所述边界区与信号线重叠,及
其中所述边界区与所述阻挡层重叠。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件,其中设置在所述第一电极上的所述发光层的第一部分比设置在所述阻挡层上的发光层的第二部分要厚。
4.一种发光器件,包括:
衬底上的绝缘薄膜;
所述绝缘薄膜上的彩色滤光器,所述彩色滤光器包括至少第一、第二和第三彩色层,其中所述第一彩色层位于所述第二和第三彩色层之间;
所述绝缘薄膜上的第一电极;
覆盖所述第一电极的端部的阻挡层;
发光层,其包括所述第一电极上的有机化合物;
所述发光层上的第二电极,
其中设置在所述第一电极上的所述发光层的第一部分比设置在所述阻挡层上的所述发光层的第二部分要厚。
5.一种发光器件,包括:
衬底上的绝缘薄膜;
所述绝缘薄膜上的彩色滤光器,所述彩色滤光器包括至少第一、第二和第三彩色层,其中所述第一彩色层位于所述第二和第三彩色层之间;
所述绝缘薄膜上的发光元件,所述发光元件包括至少第一、第二和第三发光层,其中所述第一发光层位于第一和第二电极之间;
覆盖所述第一电极的端部的阻挡层,
其中所述第一、第二和第三发光层包括有机化合物,
其中设置在所述第一电极上的所述第一发光层的第一部分比设置在所述阻挡层上的所述第一发光层的第二部分要厚。
6.根据权利要求1、4和5中任一项所述的发光器件,还包括所述衬底上的薄膜晶体管。
7.根据权利要求1、2、4和5中任一项所述的发光器件,其中所述发光层的发射通过所述第一彩色层而辐射。
8.根据权利要求1、2、4和5中任一项所述的发光器件,其中所述第一彩色层与所述第二和第三彩色层直接接触。
9.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述发光层形成在所述第一彩色层上。
10.根据权利要求5中所述的发光器件,其中所述第一发光层形成在所述第一彩色层上。
11.根据权利要求4或5所述的发光器件,其中形成相互相邻的彩色层的边界区,且所述边界区与所述阻挡层重叠。
12.根据权利要求4或5所述的发光器件,其中,相互相邻的彩色层的边界区与信号线重叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210229310.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:摄像设备
- 下一篇:晶片接合的太阳能电池和制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择