[发明专利]一种工件基体表面的防护薄膜及其制备方法无效
申请号: | 201210230205.X | 申请日: | 2012-07-02 |
公开(公告)号: | CN102758174A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 宋振纶;谢婷婷;杨丽景;冒守栋;郑必长 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/35 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 工件 基体 表面 防护 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种工件基体表面的防护薄膜,其特征是:所述的防护薄膜由钛膜与铝膜交替层叠形成周期排列;所述的一个周期中钛膜与铝膜的厚度之和为200~1000nm;所述的防护薄膜的厚度大于4μm。
2.如权利要求1所述的工件基体表面的防护薄膜,其特征是:所述的防护薄膜的厚度为4μm~6μm。
3.如权利要求1所述的工件基体表面的防护薄膜的制备方法,其特征是:首先,对工件基体进行抛光、清洗处理;然后,采用薄膜沉积装置在工件基体表面交替沉积钛膜和铝膜,所述的薄膜沉积装置包括真空室、工件架、磁控溅射源以及离子源,所述的磁控溅射源的靶材为铝靶和钛靶,具体过程如下:
(1)将工件基体置于真空室内的工件架上,通入惰性气体为工作气体,开启离子源,清洗工件基体表面;
(2)保持工件基体与钛靶相对,继续通入惰性气体作为工作气体,开启钛靶所对应的电源,在工件基体表面溅射沉积钛膜,所述钛靶的单位靶面积的溅射功率为1~6W/cm2,溅射时间为100~1500s;
(3)保持工件基体与铝靶相对,继续通入惰性气体作为工作气体,开启铝靶所对应的电源,在工件基体表面溅射沉积铝膜,所述铝靶的单位靶面积的溅射功率为1~6W/cm2,溅射时间为100~1500s;
(4)重复上述过程(2)与(3),重复数次,得到位于工件基体表面的Ti/Al周期层叠排列的防护薄膜。
4.如权利要求3所述的工件基体表面的防护薄膜的制备方法,其特征是:所述的过程(1)中,背底真空度小于或等于2.0×10-3Pa,工作气压为1.5×10-2~7.5×10-2Pa,清洗时间为10~50min。
5.如权利要求3所述的工件基体表面的防护薄膜的制备方法,其特征是:所述的过程(2)中与(3)中,工作气压为0.1~1Pa。
6.如权利要求3所述的工件基体表面的防护薄膜的制备方法,其特征是:所述的过程(2)中,在工件基体表面溅射沉积钛膜之前,首先调整挡板与钛靶相对,开启钛靶对应的电源进行预溅射5~30min。
7.如权利要求3所述的工件基体表面的防护薄膜的制备方法,其特征是:所述的过程(3)中,在工件基体表面溅射沉积铝膜之前,首先调整挡板与铝靶相对,开启铝靶对应的电源进行预溅射5~30min。
8.如权利要求3所述的工件基体表面的防护薄膜的制备方法,其特征是:所述的钛靶与铝靶的靶面分别与工件基体表面呈0°~45°夹角。
9.如权利要求3所述的工件基体表面的防护薄膜的制备方法,其特征是:在薄膜沉积过程中,利用离子源提供离子束辅助沉积,离子源工作电压为140~160V,工作电流为0.7~1.2A。
10.如权利要求3所述的工件基体表面的防护薄膜的制备方法,其特征是:在薄膜沉积过程中,利用外加电源加热真空室,使腔室保持一定温度,真空室内温度范围为50~300℃。
11.如权利要求3至10中任一权利要求所述的工件基体表面的防护薄膜的制备方法,其特征是:在薄膜沉积过程中,利用外加电源在工件架与真空室间施加偏置电压,偏压范围为0~400V。
12.如权利要求3至10中任一权利要求所述的工件基体表面的防护薄膜的制备方法,其特征是:在薄膜沉积过程中,工件架匀速转动。
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