[发明专利]一种掩膜版及套刻精度测量方法

权利要求书

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：

图案区及围绕所述图案区的外围区；

所述外围区具有用于对准的多个X标记及多个Y标记，其中，所述X标记位于掩膜版的上方和下方，所述Y标记位于掩膜版的左侧和右侧，所述X标记和Y标记相互独立，所述X标记包括多个平行设置的纵向线段用于测量套刻精度在X方向的偏移，所述多个纵向线段的长度小于所述多个纵向线段的间距，所述Y标记包括多个平行设置的横向线段用于测量套刻精度在Y方向的偏移，所述多个横向线段的长度小于所述多个横向线段的间距。

2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述X标记的数目为非零偶数个。

3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述多个纵向线段的两端分别对齐。

4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述Y标记的数目为非零偶数个。

5.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述多个横向线段的两端分别对齐。

6.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，还包括一精对准标记，所述精对准标记位于所述图案区的中心。

7.一种如权利要求1～6中任一项所述的掩膜版的套刻精度测量方法，其特征在于，包括：

测量当层和前层的X标记的中心偏移量；以及

测量当层和前层的Y标记的中心偏移量。

8.如权利要求7所述的掩膜版的套刻精度测量方法，其特征在于，当层的X标记与前层的X标记的中心具有偏移量时，表征当层和前层在X方向上有偏移；当层的X标记与前层的X标记的中心重合时，表征当层和前层在X方向套刻精确。

9.如权利要求7所述的掩膜版的套刻精度测量方法，其特征在于，当层的Y标记与前层的Y标记的中心具有偏移量时，表征当层和前层在Y方向上有偏移；当层的Y标记与前层的Y标记的中心重合时，表征当层和前层在Y方向套刻精确。