[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210231751.5 | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103390620A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 俞建安;张原菘;陈凤鸰;简俊弘 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
一半导体基底，其上具有多个深沟渠及位于所述多个深沟渠之间的多个柱体结构，其中各所述柱体结构包含一上部及一下部；
一掺杂区，位于各所述柱体结构的下部；以及
一扩散阻障层，位于所述下部的一侧壁上。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述扩散阻障层与所述下部的侧壁直接接触。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂区被多个绝缘沟槽区隔成多条埋入式数字线。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，各所述埋入式数字线具有一倒T字形的横断面轮廓。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，各所述埋入式数字线具有一垂直部分以及一水平部分，其中所述扩散阻障层并未延伸至所述水平部分的侧壁。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述扩散阻障层包含有一介电材料。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述介电材料包含氮化硅、氮氧化硅或碳化硅。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述扩散阻障层包含导电材料。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述导电材料包含TaN或TiN。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述扩散阻障层的厚度介于1至100埃。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，另包含有一侧壁保护层覆盖所述上部的侧壁。
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述扩散阻障层覆盖所述侧壁保护层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
