[发明专利]用于晶粒安装的键合层厚度控制

权利要求书

1.一种用于制造半导体封装件的方法，该方法包含将半导体晶粒安装在位于处理平台的衬底上的步骤，该将半导体晶粒安装在衬底上的步骤还包含有以下步骤：

使用滴涂器将粘合剂滴涂在衬底上；

使用键合工具将半导体晶粒键合在已经滴涂于衬底的粘合剂上；其后

使用测量设备测量位于处理平台上的半导体晶粒的下表面和衬底的上表面之间的键合层厚度。

2.如权利要求1所述的方法，其中，滴涂粘合剂、安装半导体晶粒和测量键合层厚度的步骤是在处理平台上的不同位置处进行的，该方法还包含有以下步骤:

移动该衬底相继至各个位置。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该测量设备测量半导体晶粒的上表面的高度和衬底的上表面的高度。

4.如权利要求3所述的方法，该方法还包含有以下步骤：

通过用半导体晶粒上表面的高度减去衬底上表面的高度和半导体晶粒的厚度，计算出键合层厚度。

5.如权利要求3所述的方法，其中，半导体晶粒的上表面的高度和衬底的上表面的高度分别在多个点处获得计量结果。

6.如权利要求5所述的方法，该方法还包含有以下步骤：

检测该晶粒是否相对于衬底斜置。

7.如权利要求3所述的方法，其中，该测量设备包括激光位移传感器。

8.如权利要求7所述的方法，其中，激光位移传感器通过使用激光发射器和激光接收器由激光三角法获得距离测量而测量各个高度。

9.如权利要求1所述的方法，该方法还包含有以下步骤：

使用和测量设备相连的处理器调节用于将半导体晶粒安装至衬底上的处理参数，以将键合层厚度保持在期望变化范围以内。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该被调节的处理参数为所滴涂的粘合剂数量和/或键合半导体晶粒的键合水平面。

11.如权利要求9所述的方法，其中，该被调节的处理参数为施加于半导体晶粒上的键合力和/或用于控制施加于半导体晶粒上的键合力持续时间的键合时滞。

12.一种将半导体晶粒安装在位于处理平台的衬底上的方法，该方法包含有以下步骤：

使用滴涂器将粘合剂滴涂在衬底上；

使用键合工具将半导体晶粒键合在已经滴涂于衬底的粘合剂上；其后

使用测量设备测量位于处理平台上的半导体晶粒的下表面和衬底的上表面之间的键合层厚度。

13.一种用于制造半导体封装件的晶粒安装装置，该晶粒安装装置包含有：

滴涂器，用于将粘合剂滴涂在衬底上；

键合工具，用于将半导体晶粒键合在已经滴涂于衬底的粘合剂上；以及

测量设备，用于测量半导体晶粒的下表面和衬底的上表面之间的键合层厚度。

14.如权利要求13所述的晶粒安装装置，其中，滴涂器、键合工具和测量设备设置在不同位置处，该晶粒安装装置还包含有:

传送机构，用于移动该衬底相继至该各个位置。

15.如权利要求13所述的晶粒安装装置，其中，该测量设备被操作来测量半导体晶粒的上表面的高度和衬底的上表面的高度。

16.如权利要求15所述的晶粒安装装置，其中，该键合层厚度通过用半导体晶粒上表面的高度减去衬底上表面的高度和半导体晶粒的厚度而被计算出。

17.如权利要求15所述的晶粒安装装置，其中，该测量设备包括激光位移传感器。

18.如权利要求13所述的晶粒安装装置，该晶粒安装装置还包含有：

处理器，其和该测量设备相连，该处理器被操作来调节用于将半导体晶粒安装至衬底上的处理参数，以将键合层厚度保持在期望变化范围以内。

19.如权利要求18所述的晶粒安装装置，其中，该被调节的处理参数为所滴涂的粘合剂数量和/或键合半导体晶粒的键合水平面。

20.如权利要求18所述的晶粒安装装置，其中，该被调节的处理参数为施加于半导体晶粒上的键合力和/或用于控制施加于半导体晶粒上的键合力持续时间的键合时滞。