[发明专利]一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法

权利要求书

1.一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法，其特征在于，具体按照以下操作步骤实施：

步骤1、在单晶炉内安装石墨件

1.1）将石英粉均匀地涂在石墨件腐蚀层上，石英粉的粒径≤0.5mm，二氧化硅层的厚度为腐蚀层的1.2-2倍；

1.2）将涂覆过石英粉的各个石墨件，按照生长单晶硅时各个石墨件的结构顺序安装于单晶炉内；

步骤2、抽真空及加热

闭合单晶炉，将单晶炉内抽真空，使单晶炉内压力≤20Pa；

抽真空完毕后，验证泄漏率，要求泄漏率≤10Pa/小时；

给定氩气流量为40-80L/min进行压力化，此时单晶炉内压力达到399-1330Pa，设定埚位为-50；

将石墨件逐步加热到1650℃-1700℃，此时，石墨件腐蚀层与石英粉发生反应；

缓慢降温，待热场温度≤100℃以下时拆炉；

步骤3、将各个石墨件出炉

验证单晶炉内的真空度及单晶炉炉体的泄漏率，要求真空度≤65Pa、泄漏率≤65Pa/小时，打开单晶炉炉体，待热场冷却1.5h后，取出各个石墨件；去除每个石墨件表面上的残余石英粉，并将每个石墨件表面清理干净即成。

2.根据权利要求1所述的直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法，其特征在于：所述的步骤2中，所述的逐步加热过程及降温过程是，

2.1)设定单晶炉的加热器功率为5-10kw，保持10-15min，热场温度保持在500℃；

2.2)设定单晶炉的加热器功率为25-35kw，保持15-20min，此时热场温度仍保持在500℃；

2.3)设定单晶炉的加热器功率为45-55kw，保持15-20min，此时热场温度从500℃升至503℃；

2.4)设定单晶炉的加热器功率为55-65kw，保持10-15min，此时热场温度从503℃升至510℃；

2.5)设定单晶炉的加热器功率为65-75kw，保持10-15min，此时热场温度从510℃升至525℃；

2.6)设定单晶炉的加热器功率为75-85kw，保持10-15min，此时热场温度从525℃升至551℃；

2.7)设定单晶炉的加热器功率为85-95kw，保持230-250min，此时热场温度从551℃升至1700℃；

2.8)设定单晶炉的加热器功率为65-75kw，保持20-40min，此时热场温度从1700℃降至1600℃；

2.9)设定单晶炉的加热器功率为85-95kw，保持190-210min，此时热场温度从1600℃升至1700℃；

2.10)继续设定单晶炉的加热器功率为90kw，保持180-200min，此时热场温度在1650℃-1700℃范围；

2.11)关闭单晶炉的加热器，将氩气流量从30-40L/min提升至60-80L/min保持60min，此时热场温度从1700℃降至700℃；

2.12)停止通氩气，同时关闭单晶炉的加热器，保持270-300min，此时热场温度从700℃降至300℃；

2.13)继续降温，直至低于100℃。