[发明专利]一种制备立方晶系氧化铈纳米晶的方法有效
| 申请号： | 201210232749.X | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102730740B | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 沈国柱;程国生;刘斌;姚义俊 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | C01F17/00 | 分类号： | C01F17/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 张立荣 |
| 地址： | 210044 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 立方 晶系 氧化 纳米 方法 | ||
1.一种制备立方晶系氧化铈纳米晶的方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）把明胶溶于70～100℃的热水中，配制质量分数为1%～5%的明胶水溶液；
（2）把Ce(NO3)3?6H2O溶于所述明胶水溶液中，配制浓度为0.01～0.2mol/L的硝酸亚铈溶液；
（3）按硝酸亚铈与双氧水物质的量之比为1:1～6，将双氧水溶液加入所述硝酸亚铈溶液中，搅拌直至形成絮状不溶物，获得含有絮状不溶物的溶液；
（4）向步骤（3）所述含有絮状不溶物的溶液中滴入氨水，直至溶液pH为9～12，形成大量不溶物；
（5）过滤收集步骤（4）中所述的大量不溶物，然后在空气中、60～120℃条件下烘干，获得固体混合物；
（6）把步骤（5）中所述固体混合物转入电阻炉中，在300～700℃下焙烧直至完全去除明胶，得到所述立方晶系氧化铈纳米晶。
2.根据权利要求1所述制备立方晶系氧化铈纳米晶的方法，其特征在于所述立方晶系氧化铈纳米晶的平均直径为5～50nm。
3.根据权利要求2所述制备立方晶系氧化铈纳米晶的方法，其特征在于步骤（6）中所述焙烧的时间为30～180min。
4.根据权利要求3所述制备立方晶系氧化铈纳米晶的方法，其特征在于：步骤（1）中所述明胶水溶液的质量浓度为1%。
5.根据权利要求3所述制备立方晶系氧化铈纳米晶的方法，其特征在于：步骤（1）中所述明胶水溶液的质量浓度为2%。
6.根据权利要求3所述制备立方晶系氧化铈纳米晶的方法，其特征在于：步骤（1）中所述明胶水溶液的质量浓度为5%。
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