[发明专利]带有绝缘埋层的混合晶向衬底的制备方法

权利要求书

1.一种带有绝缘埋层的混合晶向衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a）提供衬底，所述衬底包括支撑层、绝缘埋层和第一器件层，所述第一器件层具有第一晶向，所述衬底表面具有第一区域和第二区域；

b）在第一器件层表面形成具有第二晶向的第二器件层，所述第一器件层和第二器件层的材料相同；

c）将第一区域中的第二器件层再结晶使其具有第一晶向，并且在第一区域和第二区域的界面处形成分隔第二器件层的侧墙。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c）进一步包括：

在第二器件层表面形成图形化的阻挡层，所述图形化阻挡层在第一区域的厚度小于在第二区域的厚度；

采用离子束通过所述阻挡层轰击第二器件层，使第一区域的第二器件层全部非晶化；

对第二器件层实施退火，使第二器件层被轰击的非晶化部分再结晶，再结晶部分具有第一晶向；

去除阻挡层：

在第一区域和第二区域的界面处形成分隔第二器件层的侧墙。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c）进一步包括：

在第一区域和第二区域的界面处形成分隔第二器件层的侧墙；

在第二器件层表面形成图形化的阻挡层，所述图形化阻挡层在第一区域的厚度小于在第二区域的厚度；

采用离子束通过所述阻挡层轰击第二器件层，使第一区域的第二器件层全部非晶化；

对第二器件层实施退火，使第二器件层被轰击的非晶化部分再结晶，再结晶部分具有第一晶向；

去除阻挡层。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一器件层和第二器件层的材料均为单晶硅，所述第一晶向为（100），第二晶向为（110），或者所述第一晶向为（110），第二晶向为（100）。

5.根据权利要求1～3任意一项所述的方法，其特征在于，所述绝缘埋层的材料选自于氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的任意一种。

6.根据权利要求1～3任意一项所述的方法，其特征在于，所述侧墙的材料选自于氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的任意一种。

7.根据权利要求1～3任意一项所述的方法，其特征在于，所述阻挡层是由氧化硅层和氮化硅层构成的双层结构。