[发明专利]光伏装置无效
申请号: | 201210236408.X | 申请日: | 2012-07-09 |
公开(公告)号: | CN102800730A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 李韦杰;东冠妏;杨峻鸣;曾煌棊;李权庭;苏伟盛;胡雁程 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
1.一种光伏装置,其特征在于,包含:
一上基板,具光穿透性;
一下基板,平行该上基板;
多个光伏电池,间隔地平放于该上基板与该下基板之间,其中任二相邻的该些光伏电池具有相互面对的二侧面,该些侧面之间定义出一空隙区;以及
一封装结构,夹设于该上基板与该下基板之间,且包覆该些光伏电池于其中,且该封装结构内具有一反射部,该反射部位于该空隙区内,用以反射来自该上基板的光线。
2.根据权利要求1所述的光伏装置,其特征在于,该封装结构更包含:
一第一封装层,具光穿透性,全面地邻接该上基板的一侧;以及
一第二封装层,具光反射性,迭设于该第一封装层背对该上基板的一侧,且全面地邻接该下基板的一侧,
其中该些光伏电池被夹合于该第一封装层与该第二封装层之间,且该反射部为该第二封装层于该空隙区内接触该第一封装层的一表面。
3.根据权利要求1所述的光伏装置,其特征在于,该封装结构包含:
一第一封装层,具光穿透性,全面地邻接该上基板的一侧;以及
一第二封装层,包含:
多个第一部份,每一该些第一部份与该一光伏电池具相同面积,夹合于该一光伏电池与该下基板之间;以及
多个第二部份,具光反射性,彼此间隔地位于该些空隙区内,每一该些第二部份的一侧邻接该第一封装层,其另侧邻接该下基板,
其中该些光伏电池分别被夹设于该第一封装层与该些第一部份之间,且该反射部为该第二部份于该空隙区内接触该第一封装层的一表面。
4.根据权利要求1所述的光伏装置,其特征在于,该封装结构包含:
一第一封装层,具光穿透性,全面地邻接该上基板的一侧;以及
一第二封装层,具光穿透性,全面地邻接该下基板的一侧,其中该些光伏电池被夹合于该第一封装层与该第二封装层之间,
该反射部包含:
多个反射膜,具光反射性,分别位于该些空隙区内,且连接该些光伏电池的该些侧面,其中每一该些反射膜被夹合于该第一封装层与第二封装层之间。
5.根据权利要求1所述的光伏装置,其特征在于,该封装结构包含:
一第一封装层,具光穿透性,邻接于该上基板与该下基板之间,其中该些光伏电池被埋设于该第一封装层内;以及
该反射部包含:
多个反射颗粒,具光反射性,分布于该第一封装层以及该空隙区内。
6.根据权利要求1所述的光伏装置,其特征在于,该封装结构包含:
一第一封装层,具光穿透性,全面地邻接该上基板的一侧;以及
一第二封装层,具光穿透性,全面地邻接该下基板的一侧,其中该些光伏电池被夹合于该第一封装层与该第二封装层之间,
该反射部包含:
多个填充层,具光反射性,被夹合于该第一封装层与该第二封装层之间,其中每一该些填充层位于该些空隙区其中之一内,且连接该些光伏电池的该些侧面。
7.根据权利要求6所述的光伏装置,其特征在于,每一该些填充层完全填满于该些空隙区其中之一内。
8.根据权利要求2~6其中的任意一项所述的光伏装置,其特征在于,该反射部的一光反射率为90%~100%,且大于该第一封装层的一光反射率。
9.根据权利要求8所述的光伏装置,其特征在于,该下基板具光遮蔽性或光穿透性。
10.根据权利要求4~6其中的任意一项所述的光伏装置,其特征在于,该下基板具光穿透性,该反射部具半反射性,该反射部的一光反射率为50%~90%,且大于该第一封装层的一光反射率。
11.一种光伏装置,其特征在于,包含:
一上基板,具光穿透性;
一下基板,平行该上基板;
多个光伏电池,间隔地平放于该上基板与该下基板之间,其中任二相邻的该些光伏电池具有相互面对的二侧面,该些侧面之间定义出一空隙区;以及
一封装结构,夹设于该上基板与该下基板之间,且包覆该些光伏电池于其中,包含:
一第一封装层,具光穿透性,全面地邻接该上基板的一侧;以及
一反射部,位于该空隙区内,用以反射来自该上基板的光线,其中该反射部的一光反射率大于该第一封装层的一光反射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的