[发明专利]光伏装置无效
申请号: | 201210236408.X | 申请日: | 2012-07-09 |
公开(公告)号: | CN102800730A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 李韦杰;东冠妏;杨峻鸣;曾煌棊;李权庭;苏伟盛;胡雁程 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
技术领域
本发明有关于一种光伏装置,特别有关于一种具反射部的光伏装置。
背景技术
一般来说,光伏装置(Photovoltaic Device)设置于户外,以便有效地接受太阳光的照射,进而将太阳光转换为电能。
图1为传统光伏装置于一使用状态下的剖视图。光伏装置10包含一上基板20、一下基板30、多个光伏电池50与一封装结构40。封装结构40夹设于上基板20与下基板30之间,且使此些光伏电池50包覆于其中。如此,当一穿透上基板20的太阳光L1到达其中一光伏电池50的一受光面51时,此光伏电池50便可有效地将太阳光L1转换为电能。
然而,由于此些光伏电池50间隔地设置于封装结构内40,使得任二相邻光伏电池50之间相隔有一间隙G,如此,若一穿透上基板20的太阳光L2恰好穿过此间隙G,且无法因反射而到达任一光伏电池50的一受光面51时,此太阳光L2便无法被利用,无法被光伏电池50吸收并转换为电能。故,此光伏装置50缺乏有效提升转换效率的解决办法。
由此可见,上述现有的光伏装置显然仍存在无法达到有效利用入射光线的缺陷,而有进一步改良以提升转换效率的空间。因此,如何能有效地解决上述不便与缺陷,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
发明内容
本发明揭露一种光伏装置,藉由强制光线提早反射,避免光线穿过光伏电池,降低光线无法被光伏装置吸收利用的机会,进而提高光伏装置整体的收光发电效率。
本发明揭露一种光伏装置,用以增加各种不同角度入射光的利用率。
本发明依据一实施方式提供一种光伏装置,此光伏装置包含一上基板、一下基板、多个光伏电池与一封装结构。上基板具光穿透性。下基板平行上基板。此些光伏电池彼此间隔地平放于上基板与下基板之间,其中任二相邻光伏电池彼此具有相互面对的二侧面,此些侧面之间定义出一空隙区。封装结构夹设于上基板与下基板之间,且包覆光伏电池于其中,且封装结构内具有一反射部,反射部位于空隙区内,用以反射来自上基板的光线。
依据一第一实施例,此封装结构更包含一第一封装层与一第二封装层。第一封装层具光穿透性,全面地邻接上基板的一侧。第二封装层具光反射性,且迭设于第一封装层背对上基板的一侧,且第二封装层全面地邻接下基板的一侧。此些光伏电池被埋设于第一封装层与第二封装层之间,其中第二封装层于空隙区内接触第一封装层的一表面即为上述的反射部。
依据一第二实施例,此封装结构更包含一第一封装层与一第二封装层。第一封装层具光穿透性,全面地邻接上基板的一侧。第二封装层包含多个第一部份与多个第二部份。各第一部份与一光伏电池具相同面积,夹合于光伏电池与下基板之间。此些第二部份具光反射性,彼此间隔地位于此些空隙区内,各第二部份的一侧邻接第一封装层,其另侧邻接该下基板。其中各光伏电池被夹设于第一封装层与第一部份之间,且反射部为该第二部份于空隙区内接触第一封装层的一表面。
本发明的一第三实施例中,封装结构包含一第一封装层与一第二封装层。第一封装层具光穿透性,全面地邻接上基板的一侧。第二封装层具光穿透性,全面地邻接下基板的一侧,其中光伏电池被夹合于第一封装层与第二封装层之间。
反射部包含多个反射膜。此些反射膜具光反射性,分别位于此些空隙区内,且连接光伏电池的此二侧面。各反射膜被夹合于第一封装层与第二封装层之间。
本发明的一第四实施例中,封装结构包含一第一封装层。第一封装层具光穿透性,邻接于上基板与下基板之间,其中此些光伏电池被埋设于第一封装层内。反射部包含多个反射颗粒。此些反射颗粒具光反射性,分布于第一封装层以及空隙区内。
本发明的一第五实施例中,封装结构包含一第一封装层。第一封装层具光穿透性,邻接于上基板与下基板之间,其中此些光伏电池被埋设于该第一封装层内。反射部包含一填充层。填充层具光反射性,位于空隙区内,且连接些光伏电池的此些侧面。
此实施例的一变化中,填充层完全填满于空隙区内。
上述实施例中,反射部的一光反射率为90%~100%,且大于第一封装层的一光反射率。
上述实施例中,下基板具光遮蔽性或光穿透性。
下基板具光穿透性,反射部具半反射性,反射部的一光反射率为50%~90%,且大于该第一封装层的一光反射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的