[发明专利]MOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种MOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底上的栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极；

形成覆盖所述栅极结构以及栅极结构两侧衬底的光刻胶层；

图案化所述光刻胶层，形成暴露出衬底中重掺杂区域的图案化光刻胶层；

以所述图案化光刻胶层为掩模，刻蚀所述衬底，在栅极结构两侧的衬底内形成凹槽；

继续以所述图案化光刻胶层为掩模，对凹槽的底部和侧壁进行离子注入，形成反型区；

去除所述图案化光刻胶层；

在所述凹槽中形成重掺杂区，所述重掺杂区的掺杂离子与反型区的掺杂离子导电类型相反。

2.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述MOS器件为PMOS器件时，所述反型区的掺杂离子为N型导电类型，所述重掺杂区的掺杂离子为P型导电类型。

3.如权利要求2所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述反型区的掺杂离子为砷离子、磷离子或锑离子，形成反型区时离子注入的能量小于或者等于10KeV，剂量为1E12～1E14cm^-2，倾斜角度为0~45度。

4.如权利要求2所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂离子为硼离子或二氟化硼离子，形成重掺杂区时离子注入的能量为5～10KeV，剂量为5E13～3E15cm^-2。

5.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述MOS器件为NMOS器件，所述反型区的掺杂离子为P型导电类型，所述重掺杂区的掺杂离子为N型导电类型。

6.如权利要求5所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述反型区的掺杂离子为硼离子或二氟化硼离子，形成反型区时离子注入的能量小于或者等于10KeV，剂量为1E12～1E14cm^-2，倾斜角度为0~45度。

7.如权利要求5所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂离子为砷离子、磷离子或锑离子，形成重掺杂区时离子注入的能量为5～100KeV，剂量为5E13～3E15cm^-2。

8.如权利要求3或6所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，形成反型区时分多步离子注入进行，每进行完一步离子注入，将所述MOS器件水平旋转一个角度。

9.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，形成凹槽的方法为干法刻蚀。

10.如权利要求9所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀为反应离子刻蚀法，刻蚀气体为含溴气体或含氯气体中的一种或多种。

11.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，形成凹槽的方法为湿法刻蚀。

12.如权利要求11所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀溶液为氟化氢溶液、氢氧化钾溶液或四甲基氢氧化铵溶液。

13.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，在所述凹槽中形成重掺杂区的步骤包括：

通过选择性外延生长工艺在所述凹槽内形成介质层；

以所述栅极结构为掩模，对所述介质层进行离子注入，形成重掺杂区。

14.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，在所述凹槽中形成重掺杂区的步骤包括：通过选择性外延生长工艺在所述凹槽内形成介质层，同时，对所述介质层进行离子注入，形成重掺杂区。

15.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构形成之后，还包括：

以所述栅极结构为掩模，对所述栅极结构两侧的衬底进行离子注入，形成轻掺杂区；

在所述栅极结构两侧的衬底上形成侧墙。