[发明专利]处理系统有效
申请号: | 201210239469.1 | 申请日: | 2012-04-23 |
公开(公告)号: | CN102760649B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | F·佩雷斯-维拉德 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司显微镜有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 吴艳 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 | ||
相关申请的交叉引用
本申请请求申请日为2011年4月21日的,发明名称为“处理系统”的德国专利申请No.102011018460.0的优先权,该申请的全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本发明涉及一种处理系统,其包括粒子束柱,该粒子束柱具有用于将粒子束定向到物体上的相互作用区域的聚焦透镜以及用于向相互作用区域提供气体的气体供应装置。供应到相互作用区域的气体,可具有在物体上中和空间电荷的功能。空间电荷可以由粒子束撞击物体而引起的。供应到相互作用区域的气体,还可进一步具有处理气体的功能,使得气体被粒子束激发,引起在相互作用区域内的材料沉积或材料消蚀(ablation)。
背景技术
现有技术中,存在已知的气体供应装置的配置,其中气体供应装置与粒子束柱集成在一起。这样的配置的示例可从US 5,055,696、EP 2 091 066A2、DE 102 08 043A1、DE 10 2008 040 426A1、DE 10 2007 054 074A1、以及US 2007/0246651A1获知。
包括粒子束柱和气体供应装置的配置中还可以集成另外一个粒子束柱。该另外的粒子束柱可引导另外的粒子束至相互作用区域。对于这样的配置,希望物体相对于两个粒子束柱是可倾斜的。这可以例如允许选择性地引导第一或者第二粒子束与物体的表面垂直。
公知的集成的粒子束柱和气体供应装置的配置具有下述的缺点:它们是不可弯曲的,它们不能同时允许粒子束柱的聚焦透镜与物体有小的距离并且使物体倾斜。它们还可以在物体表面的区域处对聚焦透镜的电场或者磁场的对称性有负面影响。因此,这些配置在相互作用区域内的粒子束的质量或者向相互作用区域提供的气体供应方面存在不利的影响。
因此,本发明的目的是提供一种处理系统,允许气体供应装置与粒子束柱集成,以便上述的负面的影响至少部分地减轻。
发明内容
根据一个实施例,处理系统包括第一粒子束柱,第一粒子束柱具有用于将第一粒子束沿着第一粒子束的束通道引导到相互作用区域的聚焦透镜。相互作用区域可被定义为第一粒子束和/或第二粒子束的聚焦区域。该处理系统还可包括用于将物体布置在相互作用区域的物体保持器,其中所述物体保持器配置成使所述物体相对于第一粒子束柱绕倾斜轴倾斜,其中所述倾斜轴垂直或者横向于所述粒子束的方向定向。该处理系统还可进一步包括气体供应装置,该气体供应装置包括环形的管道以及气体供应线路。在气体供应线路的一端能够联接至气体储存器。气体供应线路可在气体供应线路的远端向环形管道内开口。换句话说,气体供应线路可在气体供应线路的远端联接至环形管道。因此,可将气体从气体储存器供应至环形管道。
所述环形管道围绕着所述第一和/或第二粒子束的束通道环形地延伸。换句话说,所述环形管道可形成单独的、围绕所述第一和/或第二粒子束的闭环。术语“环形地延伸”包括圆形、矩形、方形、椭圆形等。具体地,所述环形管道可以圆环形的形式围绕所述第一粒子束的束通道延伸。环形管道的枢轴可对准于或者定位在环形管道的主平面内。环形管道的主平面可横贯所述管道。该主平面可以将管道分成基本上相等大小的两个半部。环形管道的通路的纵轴可对准于或者定位在所述主平面内。
该环形管道可布置在聚焦透镜和相互作用区域之间。在环形管道的面向相互作用区域的一侧,提供有朝向相互作用区域的多个用于气体的出口。所述多个出口可以布置成产生所述气体的气体流,其中至少气体流的一部分当离开所述环形管道时,被直接朝向相互作用区域定向。作为附加或替代,相对于所述环形管道的主平面,所述气体出口可布置在物体的一侧。作为附加或替代,所述多个出口可面向所述相互作用区域,和/或可朝向所述区域定向。
所述环形管道可包括保持器,其配置成绕着枢轴枢转该环形管道,其中枢轴平行于物体保持器的倾斜轴。所述环形管道的枢轴可布置成与物体保持器的倾斜轴分开一个距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造