[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包含NMOS部分和PMOS部分，且在所述半导体衬底上形成有栅极结构；

在所述半导体衬底上形成一由三层材料堆叠而成的遮蔽体，以覆盖所述栅极结构；

在所述半导体衬底上形成一经过图形化的光刻胶层，以遮蔽所述NMOS部分；

去除构成位于所述PMOS部分的遮蔽体的三层材料中的第三材料层；

蚀刻构成位于所述PMOS部分的遮蔽体的三层材料中的第二材料层，以形成一覆盖所述PMOS部分的栅极结构的侧面及顶部的侧壁体；

去除未被所述侧壁体所覆盖的构成遮蔽体的三层材料中的第一材料层，以形成用于蚀刻硅凹槽的窗口；

去除所述经过图形化的光刻胶层，并通过所述窗口在位于所述PMOS部分的半导体衬底中形成碗状凹槽；

蚀刻所述碗状凹槽，以形成∑状凹槽；

去除构成所述NMOS部分的遮蔽体的三层材料中的第三材料层；

去除构成所述半导体衬底上的遮蔽体的三层材料中的第二材料层；

在所述∑状凹槽中形成锗硅层；

形成覆盖所述栅极结构的间隙壁结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三层材料中的第一材料层为氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三层材料中的第二材料层为氧化物层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三层材料中的第三材料层为氮化硅层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述遮蔽体。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原位灰化工艺来完成所述经过图形化的光刻胶层的去除。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述碗状凹槽的工艺步骤包括：先采用干法蚀刻工艺对所述半导体衬底进行纵向蚀刻，以在所述半导体衬底中形成凹槽；再采用各向同性的干法蚀刻工艺继续蚀刻所述凹槽，使所述凹槽转变为所述碗状凹槽。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碗状凹槽的蚀刻为湿法蚀刻。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成∑状凹槽之后，还包括：采用湿法清洗工艺以去除前述蚀刻过程在所述∑状凹槽中形成的残留物。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用外延生长工艺形成所述锗硅层。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隙壁结构的形成是通过蚀刻构成所述半导体衬底上的遮蔽体的三层材料中的第一材料层来完成的。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述蚀刻过程通过干法蚀刻工艺来完成，直至露出所述半导体衬底时终止。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为CMOS。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层。