[发明专利]一种EEPROM擦写控制装置无效
申请号: | 201210241055.2 | 申请日: | 2012-07-12 |
公开(公告)号: | CN102768859A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 陈高飞;沈梓荣;彭洪伟;邱红霞;苗书立 | 申请(专利权)人: | 深圳市锐能微科技有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 贾振勇 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 eeprom 擦写 控制 装置 | ||
1.一种EEPROM擦写控制装置,包括系统接口和EEPROM存储单元,其特征在于,所述装置还包括:
作为所述EEPROM存储单元活跃区域的映射缓存区的SRAM缓冲单元;
分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接,管理所述EEPROM存储单元与SRAM缓冲单元之间映射关系,分发处理数据的缓存和擦写的存储映射控制器;以及
与所述存储映射控制器电连接,监测电源掉电过程,在系统电源跌落到阈值范围以下时,向所述存储映射控制器发送预刷写信号的电源管理单元。
2.如权利要求1所述的EEPROM擦写控制装置,其特征在于,所述装置还包括:
与所述存储映射控制器电连接,对所述EEPROM存储单元的数据读写进行校验的错误校验单元。
3.如权利要求1所述的EEPROM擦写控制装置,其特征在于,所述存储映射控制器包括:
当发生SRAM缓冲区数据命中时,将所述EEPROM存储单元的数据访问直接映射到对SRAM缓冲单元的数据访问的命中数据映射单元;
当发生SRAM缓冲区数据建立时,将所述SRAM缓冲单元中失效的命中数据刷写到EEPROM存储单元中,并建立新的数据命中的失效命中数据刷写单元;以及
当系统电源跌落到阈值范围以下时,根据所述电源管理单元发送的预刷写信号,将所有SRAM缓冲单元中命中区的数据刷写到EEPROM存储单元中的低电数据刷写单元。
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