[发明专利]一种EEPROM擦写控制装置无效

专利信息
申请号: 201210241055.2 申请日: 2012-07-12
公开(公告)号: CN102768859A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 陈高飞;沈梓荣;彭洪伟;邱红霞;苗书立 申请(专利权)人: 深圳市锐能微科技有限公司
主分类号: G11C16/14 分类号: G11C16/14
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 贾振勇
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 eeprom 擦写 控制 装置
【权利要求书】:

1.一种EEPROM擦写控制装置,包括系统接口和EEPROM存储单元,其特征在于,所述装置还包括:

作为所述EEPROM存储单元活跃区域的映射缓存区的SRAM缓冲单元;

分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接,管理所述EEPROM存储单元与SRAM缓冲单元之间映射关系,分发处理数据的缓存和擦写的存储映射控制器;以及

与所述存储映射控制器电连接,监测电源掉电过程,在系统电源跌落到阈值范围以下时,向所述存储映射控制器发送预刷写信号的电源管理单元。

2.如权利要求1所述的EEPROM擦写控制装置,其特征在于,所述装置还包括:

与所述存储映射控制器电连接,对所述EEPROM存储单元的数据读写进行校验的错误校验单元。

3.如权利要求1所述的EEPROM擦写控制装置,其特征在于,所述存储映射控制器包括:

当发生SRAM缓冲区数据命中时,将所述EEPROM存储单元的数据访问直接映射到对SRAM缓冲单元的数据访问的命中数据映射单元;

当发生SRAM缓冲区数据建立时,将所述SRAM缓冲单元中失效的命中数据刷写到EEPROM存储单元中,并建立新的数据命中的失效命中数据刷写单元;以及

当系统电源跌落到阈值范围以下时,根据所述电源管理单元发送的预刷写信号,将所有SRAM缓冲单元中命中区的数据刷写到EEPROM存储单元中的低电数据刷写单元。

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