[发明专利]一种EEPROM擦写控制装置

说明书

技术领域

本发明属于存储领域，尤其涉及一种EEPROM擦写控制装置。

背景技术

作为一种非易失性的存储设备，电可擦写可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）被用来存放掉电后需要保持的数据。EEPROM的数据更新需要使用特殊的电压先擦除后再编程，其擦除和编程的次数，也即EEPROM的寿命是有限的。

图1示出了现有EEPROM操作处理方式，系统接口101提供对EEPROM存储单元的擦除、编程、读等操作接口，EEPROM存储单元102为EEPROM物理存储介质。

常见EEPROM的寿命在100万次左右，而擦除和编程的时间一般长达几毫秒。因此，在一些需要频繁更新EEPROM存储内容的应用场景中，EEPROM的寿命以及擦除和编程的时间都限制了整个系统的设计。

发明内容

本发明实施例提供了一种EEPROM擦写控制装置，旨在解决普通EEPROM中擦除和编程次数较少，以及擦除和编程时间较长的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种EEPROM擦写控制装置，包括系统接口和EEPROM存储单元，所述装置还包括：

作为所述EEPROM存储单元活跃区域的映射缓存区的SRAM缓冲单元；

分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接，管理所述EEPROM存储单元与SRAM缓冲单元之间映射关系，分发处理数据的缓存和擦写的存储映射控制器；以及

与所述存储映射控制器电连接，监测电源掉电过程，在系统电源跌落到阈值范围以下时，向所述存储映射控制器发送预刷写信号的电源管理单元。

本发明实施例实现了对EEPROM存储单元的零延时访问，可以大幅提高EEPROM的擦写和编程次数，拓展EEPROM存储单元的擦写寿命。

附图说明

图1是现有技术中EEPROM擦写操作处理示意图；

图2是本发明实施例提供的EEPROM擦写控制装置的结构图；

图3是本发明实施例提供的存储映射控制器的结构图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术发明实施例及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例增加SRAM缓冲区，通过对SRAM缓冲区和EEPROM存储单元的存储映射控制，实现对EEPROM存储单元的零延时访问，大幅拓展EEPROM存储单元的擦写寿命。

图1示出了本发明实施例提供的EEPROM擦写控制装置的结构，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分。

系统接口201与存储映射控制器202电连接，为EEPROM存储单元205的擦除、编程、读写等操作提供接口。

存储映射控制器202负责管理EEPROM存储单元205与SRAM缓冲单元203之间的映射关系，以及分发处理数据的缓存和擦写。

SRAM缓冲单元203与存储映射控制器202电连接，作为EEPROM存储单元205活跃区域的映射缓存区。

如图3所示，当发生SRAM缓冲区数据命中时，命中数据映射单元2021控制将EEPROM存储单元205的数据访问直接映射到对SRAM缓冲单元203的数据访问，从而实现零延迟的数据读/写功能。

当发生SRAM缓冲区数据建立时，失效命中数据刷写单元2022将SRAM缓冲单元203中失效的命中数据刷写到EEPROM存储单元205中，并建立新的数据命中。

电源管理单元204与存储映射控制器202电连接，负责监测电源掉电过程，为存储映射控制器202提供预刷写信号。

当系统电源跌落到阈值范围以下时，电源管理单元204发送预刷写信号至存储映射控制器202，低电数据刷写单元2023根据电源管理单元204的预刷写信号将所有SRAM缓冲单元203中命中区的数据刷写到EEPROM存储单元205中。

EEPROM存储单元205与存储映射控制器202电连接，为整个装置提供EEPROM物理存储介质。

作为本发明的一个优选实施例，增加错误校验（Error Checking andCorrecting，ECC）单元206，与存储映射控制器202电连接，负责对EEPROM存储单元205的数据读写提供ECC校验，确保数据的准确性。