[发明专利]一种高真空低温提纯高纯镁的方法及提纯装置

权利要求书

1.一种高真空低温提纯高纯镁的方法，其特征在于，该方法利用各元素在高真空下加热升华以及各元素的升华温度不同原理，采取两步法提纯高纯镁，其提纯步骤如下：

步骤一，将镁原材料放入镁合金真空熔炼炉的真空罐中，关闭炉盖后抽真空至1.33×10^-2~1.33×10^-1pa；

步骤二，加热真空熔炼炉，将炉温升至250~350℃，蒸馏时间20~120分钟；使镁原材料中的低熔点元素升华、沉积在收集板上；

步骤三，将收集板翻转180°，继续抽真空至为1.33×10^-4~1.33×10^-2pa；

步骤四，将真空熔炼炉升温至370~640℃，蒸馏时间为120~480分钟，使镁开始升华并沉积在收集板上；

步骤五，停机冷却降温至室温，打开真空蒸馏炉盖，从真空蒸馏炉体内取出结晶收集板上沉积的高纯度结晶镁。

2.一种应用权利要求1高真空低温提纯高纯镁方法的提纯装置，它分别包括真空蒸馏炉体（1）和真空蒸馏炉盖（2）接有的冷却系统（3）、真空蒸馏炉体（1）中装有的电炉加热系统（4）、电炉加热系统（4）上方设置的结晶收集板（5），以及与真空蒸馏炉体（1）贯通连接的抽真空系统（6），其特征在于，所述的结晶收集板（5）与真空蒸馏炉体（1）外设置的翻转机构（7）连接，由翻转机构（7）控制结晶收集板（5）翻转180度。