[发明专利]半导体封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210243965.4 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102779802A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 洪嘉临 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L25/04 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构包括：
一基板；
一第一芯片，设置于所述基板上；
一第二芯片，设置于所述第一芯片上，并暴露出部分所述第一芯片的上表面；
一第三芯片，设置于所述第二芯片上，其中部分所述第三芯片的下表面是面对于所述第一芯片的所述暴露的部分上表面；以及
多个连接组件，连接于所述第一芯片的所述暴露的部分上表面及所述第三芯片的所述对应的部分下表面之间。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：还包括封装胶体，用于包覆所述第一芯片、所述第二芯片、所述第二芯片及所述连接组件，且所述第三芯片的上表面外露于所述封装胶体之外。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一芯片及所述第三芯片为长形芯片。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一芯片及所述第三芯片具有一外露长度，所述外露长度是等于或大于每一所述连接组件的直径的1.05倍。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一芯片与所述第二芯片是呈十字型来排列，所述第一芯片是对位于第三芯片。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述连接组件为多个锡球。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述连接组件为导电柱凸块。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第二芯片设有多个开孔，所述连接组件是穿设于所述开孔中。
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一芯片、所述第二芯片及所述第三芯片为具有相同尺寸的矩形芯片。
10.一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括：
提供一基板；
设置一第一芯片于所述基板上；
设置一第二芯片于所述第一芯片上，其中部分所述第一芯片的上表面是暴露出所述第二芯片之外；
设置一第三芯片于所述第二芯片上，其中部分所述第三芯片的下表面是面对于所述第一芯片的所述暴露的部分上表面；以及
通过多个连接组件来连接于所述第一芯片的所述暴露的部分上表面及所述第三芯片的所述对应的部分下表面之间。
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