[发明专利]晶圆承载板结构及晶圆接合方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶圆接合方法，特别是涉及一种用于贴合及承载晶圆的晶圆承载板结构及方法。

背景技术

在半导体生产过程中，有时需进行不同温度的加工处理。由于不同材料具有不同的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion，CTE)，因此，具有不同热膨胀系数之复合结构(例如具有不同材料层的晶圆)在经过温度变换化时(例如由高温回复至室温时)，容易发生翘曲情况。此时，为了改善此翘曲情形，可将此复合结构通过一层接合胶来贴合于一强度较高的承载板上，使得此复合结构可在承载板上进行不同温度的加工处理，因而可改善复合结构的翘曲问题。

在将晶圆等物件贴合于承载板上的接合胶时，为了避免晶圆上的组件被压伤，通常会使用软胶垫来进行加压。然而，在使用软胶垫来加压时，承载板上的接合胶会容易突起堆积于承载板的边缘处，造成接合层在边缘处有厚度不均匀的问题，使得晶圆近边缘处的芯片仍存在翘曲的问题，进而增加后续加工的困难性。

故，有必要提供一种晶圆承载板结构及晶圆接合方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种晶圆承载板结构，所述晶圆承载板结构包括承载区及支撑区。承载区用于承载一晶圆，支撑区形成于承载区的周围，其中支撑区的宽度为承载区的长度的5％～20％。

本发明的晶圆承载板结构可通过支撑区来支撑住软性压合垫，且流动的接合层的材料可在被加压的过程向外流向承载区周围的支撑区，以避免流动的接合层突起堆积于承载板的边缘，而造成接合层的厚度不均匀或翘曲的问题。

本发明的另一目的在于提供一种晶圆接合方法，用于接合晶圆至晶圆承载板结构上。在此晶圆接合方法中，首先，提供一晶圆承载板结构，所述晶圆承载板结构具有一承载区以及一支撑区，支撑区形成于承载区的周围，其中支撑区的宽度为承载区的长度的5％～20％。接着，形成一接合层于承载区上。接着，提供一晶圆接合于接合层上。接着，提供一软性压合垫来压合晶圆。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1显示依照本发明的一实施例的晶圆承载板结构、晶圆及软性压合垫的分解剖面图；

图2显示依照本发明的一实施例的晶圆承载板结构的上视图；

图3A至图3D显示依照本发明的一实施例的晶圆接合于晶圆承载板结构上的流程示意图；

图4显示依照本发明的另一实施例的晶圆承载板结构、晶圆及软性压合垫的使用剖面图；

图5显示依照本发明的又一实施例的晶圆承载板结构、晶圆及软性压合垫的使用剖面图；以及

图6显示依照本发明的又一实施例的晶圆承载板结构、晶圆及软性压合垫的使用剖面图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。

请参照图1，其显示依照本发明的一实施例的晶圆承载板结构、晶圆及软性压合垫的分解剖面图。晶圆承载板结构110可用于承载晶圆101以进行例如高温加工处理。此晶圆101的下表面设有凸块102，凸块102的高度可介于30～200微米之间。

晶圆承载板结构110可为一体成型的圆形板体结构，其可由具有高强度且低温度变化的材料制成，例如硅。晶圆承载板结构110可具有承载区A及支撑区B。承载区A及支撑区B可为一体成型的一同心圆结构，亦可外加一支撑区B于承载区A之周围。承载区A用于供晶圆101来置放。软性压合垫103置放于晶圆101上，以保护晶圆101，避免晶圆101于高温加工处理过程中遭受损伤，支撑区B可用于支撑软性压合垫103。

接合层120可形成于晶圆承载板结构110的承载区A上，用于黏接及承载晶圆101于晶圆承载板结构110上。然不限于此，接合层120的形成区域可更延伸至支撑区B中。接合层120可例如为热塑性材质。接合层120的厚度例如为60um。