[发明专利]晶圆研磨装置与晶圆研磨方法

权利要求书

1.一种晶圆研磨装置，包括：

一支撑板，用以放置一晶圆于其上；

一修整垫，设置邻近于该支撑板；以及

一研磨轮，其能够在该支撑板与该修整垫之间移动，以研磨放置在该支撑板上的该晶圆或经由该修整垫修整该研磨轮的一研磨面。

2.如权利要求1所述的晶圆研磨装置，其中包括数个该修整垫与数个该研磨轮，该些修整垫的各个与该些研磨轮的各个成对地构成一研磨单元。

3.如权利要求1所述的晶圆研磨装置，更包括数个研磨区域，该些研磨区域至少的一设置有该研磨单元。

4.如权利要求1所述的晶圆研磨装置，其中包括数个该研磨轮，该些研磨轮共用单一个该修整垫。

5.一种晶圆研磨方法，包括：

利用一研磨轮与一第一研磨参数研磨放置在一支撑板上的一晶圆；以及

在判断出利用该研磨轮与该第一研磨参数研磨该晶圆的过程中发生异常之后，利用该研磨轮与相异于该第一研磨参数的一第二研磨参数研磨该晶圆，或者，将该研磨轮移至邻近于该支撑板的一修整垫，并利用该修整垫修整该研磨轮的一研磨面。

6.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其中在利用该研磨轮与该第二研磨参数研磨该晶圆之后，将该研磨轮移至该修整垫，并利用该修整垫修整该研磨轮的该研磨面。

7.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，更包括在利用该修整垫修整该研磨轮的该研磨面之后，将该研磨轮移至该支撑板，并利用该研磨轮与该第一研磨参数研磨放置在该支撑板上的另一晶圆。

8.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，判断出利用该研磨轮与该第一研磨参数研磨该晶圆的过程中发生异常的方法包括：

判断出该研磨轮的一主轴移动速率与该晶圆的一移除速率的差异大于一设定极限值；或者

判断出该研磨轮的一主轴电流值大于另一设定极限值。

9.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其中该支撑板上设置有一晶圆承载盘，该晶圆放置在该晶圆承载盘上，第一研磨参数与该第二研磨参数各包括该研磨轮的一主轴进给速度、该晶圆承载盘的一转速、或一冷却水流量。

10.如权利要求9所述的晶圆研磨方法，其中该第二研磨参数的该研磨轮的该主轴进给速度小于该第一研磨参数的该研磨轮的该主轴进给速度；

该第二研磨参数的该晶圆承载盘的该转速小于该第一研磨参数的该晶圆承载盘的该转速；或者

该第二研磨参数的该冷却水流量大于该第一研磨参数的该冷却水流量。