[发明专利]晶圆研磨装置与晶圆研磨方法

说明书

技术领域

本发明有关于晶圆研磨装置与晶圆研磨方法，特别有关于利用晶圆研磨装置的自动化研磨方法。

背景技术

晶圆相关的制造商会处理到各种不同特性的晶圆，且一般会以固定的工艺参数来处理晶圆。然而，由于晶圆特性的不同可能因其材料或结构上的差异，当使用晶圆研磨装置，并以固定的工艺参数来研磨特性的不同的晶圆时，很容易导致晶圆损坏的问题，例如晶圆的焦黑或破片。一旦发生此类的事件，不仅损坏的晶圆其报废的可能性提高，晶圆研磨装置也必须立刻停止作业，以人工的方式检查、修复，因而影响了晶圆的产出量(WPH)与产品良率。

发明内容

本发明有关于晶圆研磨装置与晶圆研磨方法。相较于先前技术，于本案实施例中所揭露的晶圆研磨装置与晶圆研磨方法可大幅度地提高晶圆的产出量与产品良率。

根据本发明的一实施例，提供一种晶圆研磨装置。晶圆研磨装置包括一支撑板、一修整垫以及一研磨轮。支撑板用以放置一晶圆于其上。修整垫设置邻近于该支撑板。研磨轮能够在支撑板与修整垫之间移动，以研磨放置在支撑板上的晶圆或经由修整垫修整研磨轮的一的研磨面。

根据本发明的另一实施例，提供一种晶圆研磨方法。晶圆研磨方法包括以下步骤。利用一研磨轮与一以第一研磨参数研磨并放置在一支撑板上的一晶圆。在判断出利用研磨轮与第一研磨参数研磨晶圆的过程中发生异常之后，利用研磨轮与相异于第一研磨参数的一第二研磨参数研磨晶圆，或者，将研磨轮移至邻近于支撑板的一修整垫，并利用修整垫修整研磨轮的一研磨面。

下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示根据一实施例的晶圆研磨装置的上视图。

图2绘示根据一实施例的晶圆研磨装置的上视图。

图3A至图3D绘示根据一实施例的晶圆研磨方法。

主要元件符号说明：

102、202：支撑板

104A、104B、104C、104D、204B、204C：晶圆承载盘

106A、106B、106C、106D、206B、206C：工作区域

108A、108B、208：修整垫

110A、110B：修整垫承载盘

112A、112B、112C、212A、212B：研磨轮

114A、114B、114C、114D：晶圆

具体实施方式

图1绘示根据一实施例的晶圆研磨装置的上视图。晶圆研磨装置包括支撑板102。支撑板102上设置有晶圆承载盘104A、104B、104C、104D。于实施例中，支撑板102为轮转盘，用以将晶圆承载盘104A、104B、104C、104D转动至各个工作区域106A、106B、106C、106D。修整垫108A、108B放置在邻近于支撑板102的修整垫承载盘110A、110B上。举例来说，修整垫承载盘110A、110B设置在支撑板102的外侧。

请参照图1，举例来说，研磨轮112A能够经由一移动件(未显示)，例如机械手臂移动在支撑板102与修整垫108A之间移动，以研磨位在工作区域106B的晶圆承载盘104B上的晶圆(未显示)，或经由修整垫108A修整研磨轮112A的研磨面。研磨轮112B能够在支撑板102与修整垫108B之间移动，以研磨位在工作区域106C的晶圆承载盘104C上的晶圆(未显示)或经由修整垫108B修整研磨轮112B的研磨面。于一实施例中，位在工作区域106B的研磨轮112A用以粗研磨晶圆，位在工作区域106C的研磨轮112B用以细研磨晶圆，位在工作区域106D的研磨轮112C用以抛光晶圆。修整垫108A与修整垫108B可具有不同的研磨特性，分别能够用以有效率地修整研磨轮112A与研磨轮112B。于此实施例中，工作区域106B、106C分别设置有由成对的研磨轮112A与修整垫108A所构成的研磨单元，与由成对的研磨轮112B与修整垫108B所构成的研磨单元。然本揭露并不限于此，于其他实施例中，亦可设计成其他的配置。于实施例中，图1所示的装置可设置在单一个腔室的内。