[发明专利]发光二极管晶粒及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管晶粒，其包括：

基板；

形成在该基板上的磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，该第二半导体层的顶端具有一非活性部；

分别形成在该磊晶层上的第一电极和第二电极，该第一电极形成在第一半导体层的表面，该第二电极形成在该非活性部的顶部且覆盖该非活性部。

2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，还包括形成在该基板上的缓冲层，该磊晶层生长在该缓冲层上表面。

3.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该基板由蓝宝石，碳化硅，硅或氮化镓制成。

4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该第一半导体层为N型半导体层，第二半导体层为P型半导体层。

5.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，该第二半导体层包括自该发光层的上表面向上生长形成的P型半导体电流阻挡层和自P型半导体电流阻挡层上表面向上生长形成的P型半导体电流接触层，该非活性部位于该P型半导体电流接触层远离P型半导体电流阻挡层的一侧，且与P型半导体电流接触层平齐。

6.一种发光二极管晶粒的制作方法，其包括以下步骤：

提供一基板；

在基板上磊晶形成缓冲层；

在该缓冲层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，该发光层和该第二半导体层位于该第一半导体层的顶端一侧，从而使该第一半导体层的顶端另一侧外露；

在该第二半导体层的顶端设置一遮蔽层，并使该遮蔽层覆盖该第二半导体层的一部分；

对第二半导体层进行活性化处理；

移除该遮蔽层，分别在外露的该第一半导体层表面上和该第二半导体层上原本被遮蔽层覆盖的位置上形成第一电极和第二电极。

7.如权利要求6所述的发光二极管晶粒的制作方法，其特征在于，该第二半导体层包括自该发光层的上表面向上生长形成的P型半导体电流阻挡层和自P型半导体电流阻挡层上表面向上生长形成的P型半导体电流接触层，所述遮蔽层设置在该P型半导体接触层上。

8.如权利要求6所述的发光二极管晶粒的制作方法，其特征在于，该遮蔽层由耐高温的电性绝缘材料或是金属材料制成。

9.如权利要求6所述的发光二极管晶粒的制作方法，其特征在于，该第一半导体层为N型半导体层，第二半导体层为P型半导体层。

10.如权利要求6所述的发光二极管晶粒的制作方法，其特征在于，该磊晶层是通过有机金属化学气相沉积法、分子束磊晶法或氢化物气相磊晶法生长而成的。