[发明专利]发光二极管晶粒及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管晶粒及其制作方法，尤其涉及一种出光均匀的发光二极管晶粒及其制作方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。

现有的发光二极管晶粒通常包括基板、在基板表面生长的半导体发光结构以及形成在半导体发光结构上的P电极和N电极。然而，发光二极管晶粒在发光过程中电流容易集中在P电极和N电极的周围，使得发光二极管晶粒在靠近两电极之间的出光亮度最大，从而导致出光亮度不均匀；并且，电流的集中容易造成电极处热量的堆积，致使该处温度偏高而减少发光二极管晶粒的使用寿命。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种出光亮度均匀的发光二极管晶粒及其制作方法。

一种发光二极管晶粒，其包括一基板、形成在该基板上的磊晶层以及分别形成在该磊晶层上的第一电极和第二电极，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，该第二半导体层的上端具有一非活性部，该第一电极形成在第一半导体层的表面，该第二电极形成在该非活性部的顶部且覆盖该非活性部。

一种发光二极管晶粒的制作方法，其包括以下步骤：提供一基板；在基板上磊晶形成缓冲层；在该缓冲层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，该发光层和该第二半导体层位于该第一半导体层的顶端一侧，从而使该第一半导体层的顶端另一侧外露；在该第二半导体层的顶端设置一遮蔽层，并使该遮蔽层覆盖该第二半导体层的一部分；对第二半导体层进行活性化处理；移除该遮蔽层，分别在外露的该第一半导体层表面上和该第二半导体层上原本被遮蔽层覆盖的位置上形成第一电极和第二电极。

本实施例通过在第二半导体层上设置一具有高阻抗特性的非活性部，且将第二电极设置在非活性部的顶面上以覆盖非活性部，从而使电流在第二电极正下方流通困难，进而转往非活性部周缘的其他途径而提高电流扩散均匀度，因此使发光二极管晶粒的出光面亮度均匀，同时扩散均匀的电流可有效避免因热量集中而导致的温度偏高现象、提高发光二极管晶粒的使用寿命。

附图说明

图1是本发明的发光二极管晶粒的示意图。

图2是本发明的发光二极管晶粒的制作方法步骤一所提供的基板的示意图。

图3是本发明的发光二极管晶粒的制作方法步骤二在基板上形成缓冲层的示意图。

图4是本发明的发光二极管晶粒的制作方法步骤三在缓冲层上生长磊晶层的示意图。

图5是图4中在磊晶层的P型半导体电流接触层上设置一遮蔽层的示意图。

图6是对图5中的P型半导体电流接触层进行活性化处理的示意图。

图7是对图6中的遮蔽层移除后在磊晶层上分别形成第一电极和第二电极的示意图。

主要元件符号说明