[发明专利]铁氧体基片激光打孔技术有效
申请号: | 201210246721.1 | 申请日: | 2012-07-16 |
公开(公告)号: | CN103537810A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 周俊;倪经;张为国;李扬兴 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第九研究所 |
主分类号: | B23K26/382 | 分类号: | B23K26/382;B23K26/40;B23K26/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁氧体 激光 打孔 技术 | ||
1.铁氧体基片激光打孔技术是一种新型的激光打孔工艺技术。
2.在试验研究的基础上,通过二次间隔激光打孔技术,能够在铁氧体基片上快速打孔,并有效地防止基片的破裂。
3.在铁氧体基片表面旋涂一层光刻胶或镀一层铜均能改善通孔的锥度。
4.根据权利要求2所述的铁氧体基片二次间隔激光打孔技术,其特征是铁氧体基片厚度为0.400mm,激光设定电流值为15.0~25.0A,激光脉冲重复频率为20~30KHz,激光脉冲宽度为50~70%,入口孔径为0.300mm,打孔次数为2次。
5.根据权利要求2或3所述的铁氧体基片二次间隔激光打孔技术,其特征是铁氧体基片厚度为0.400mm,光刻胶厚度为2μm,激光设定电流值为15.0~25.0A,激光脉冲重复频率为20~30KHz,激光脉冲宽度为50~70%,入口孔径为0.300mm,打孔次数为2次。
6.根据权利要求2或3所述的铁氧体基片二次间隔激光打孔技术,其特征是铁氧体基片厚度为0.400mm,铜层厚度为14μm,激光设定电流值为15.0~25.0A,激光脉冲重复频率为20~30KHz,激光脉冲宽度为50~70%,入口孔径为0.300mm,打孔次数为2次。
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