[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 201210247010.6 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103094351B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 朴在佑;李制勋;安秉斗;朴世容;朴埈贤;金建熙;林志勋;李京垣;钉宫敏洋;三木绫;森田晋也;岸智也;田尾博昭;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司;株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/26 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 韩明星,韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基板；
栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；
栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；
半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；
数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；
漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；
钝化层，钝化层设置在数据线上，
其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体，
其中，铟以5原子百分比至50原子百分比的量存在，
其中，锌与锡的比为1.38至3.88。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中：
铟以10原子百分比至30原子百分比的量存在，
锌与锡的比为1.78至2.95。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中：
半导体层的蚀刻速率为至
4.如权利要求3所述的显示装置，其中：
除了形成在半导体层中的沟道部分之外，半导体层与源电极、漏电极和数据线具有相同的平面图案。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中：
半导体层的阈值电压大于-10V。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中：
半导体层的电荷迁移率为5cm2/Vs。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中：
栅极绝缘层包括下层和上层。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中：
下层包含氧化硅。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中：
上层包含氮化硅。
10.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基板；
栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；
栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；
半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；
数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；
漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；
钝化层，钝化层设置在数据线上，
其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体，
其中，铟以5原子百分比至50原子百分比的量存在，
其中，锌以25原子百分比至71.6原子百分比的量存在，
其中，锡以16.1原子百分比至33.3原子百分比的量存在。
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