[发明专利]显示装置

说明书

技术领域

本公开涉及一种显示装置。

背景技术

诸如以液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、电泳显示器和等离子体显示器为例的平板显示器，包括多对场产生电极和设置在它们之间的光电有源层。液晶显示器包括液晶层作为光电有源层，有机发光二极管显示器包括有机发射层作为光电有源层。彼此成对的场产生电极中的一个电极可以连接到开关元件以接收电信号，光电有源层可以将电信号转换成光信号，因此显示图像。

平板显示器可以包括其上形成有薄膜晶体管的显示面板。可以在薄膜晶体管阵列面板上对多层的电极、半导体等进行图案化。此外，可以在图案化工艺中使用掩模。

同时，半导体层可以是确定薄膜晶体管的特性的一个重要的因素。在形成半导体层时，通常使用非晶硅，但是在制造高性能的薄膜晶体管方面可能存在着限制，这是因为非晶硅可以具有很低的电荷迁移率。此外，在将多晶硅用于形成半导体层的情况下，因为电荷迁移率可能很高，所以可以容易地制造高性能的薄膜晶体管。然而，当使用多晶硅时，制造成本可能增加，且均匀性可能降低，因此，在制造大尺寸的薄膜晶体管阵列面板方面可能存在着限制。

由于这样的原因，正在进行使用氧化物半导体形成的半导体层的薄膜晶体管的研究，其中，与非晶硅相比，氧化物半导体具有更高的电子迁移率和更高的ON/OFF电流比，且与多晶硅相比，氧化物半导体具有更低的制造成本，并具有很高的均匀性。

例如，正在进行使用氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO₂)和氧化锌锡(ZnSnO)或类似物作为半导体层的氧化物半导体的研究。然而，因为薄膜晶体管的特性以及蚀刻特性可能根据构成氧化物半导体的构成材料的组分而变化，所以应满足使用氧化物半导体来实际制造显示装置的适当的条件。

发明内容

本发明的示例性实施例可以提供一种包括驱动特性优良且满足诸如在四片工艺(four-sheet process)中的实际大规模生产的条件的氧化物半导体的显示装置。

本发明的示例性实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层由含有铟、锡和锌的氧化物半导体形成。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。

铟可以以大约10at％至大约30at％的量存在，锌与锡的比可以为大约1.78至大约2.95。

半导体层的蚀刻速率可以为大约至大约

除了形成在半导体层中的沟道部分之外，半导体层可以与源电极、漏电极和数据线具有相同的平面图案。

半导体层的阈值电压可以为不小于大约-10V。

半导体层的电荷迁移率可以为大约5cm²/Vs。

栅极绝缘层可以包括下层和上层。

下层可以由氧化硅制成。

上层可以由氮化硅制成。

所述显示装置还可以包括像素电极，像素电极设置在钝化层上，其中，钝化层具有接触孔，像素电极通过接触孔连接到漏电极。

所述显示装置还可以包括第二基板，第二基板面对第一基板，其中，液晶层设置在第一基板和第二基板之间。

半导体层的蚀刻速率可以为大约至大约

除了形成在半导体层中的沟道部分之外，半导体层可以与源电极、漏电极和数据线具有相同的平面图案。

栅极绝缘层可以包括下层和上层。

下层可以由氧化硅制成，上层可以由氮化硅制成。

所述显示装置还可以包括像素电极，像素电极设置在钝化层上，其中，钝化层具有接触孔，像素电极通过接触孔连接到漏电极。

铟可以以大约10at％的量存在，锌与锡的比可以为大约1.78至大约3.88。

铟可以以大约20at％的量存在，锌与锡的比可以为大约1.50至大约3.23。

铟可以以大约30at％的量存在，锌与锡的比可以为大约1.38至大约2.95。