[发明专利]一种变形槽栅介质的CSTBT器件

权利要求书

1.一种变形槽栅介质的CSTBT器件，其元胞结构包括金属有源发射极（1）、金属栅电极（2）、金属集电极（3）、N+有源区（4）、P型基区（5）、P+体区（6）、栅介质层（7）、N型载流子存储层（8）、N-漂移区（9）、N+电场终止层（10）、P+集电区（11）和多晶硅栅极（12）；金属化集电极（3）位于P+集电区（11）的背面，N+电场终止层（10）位于P+集电区（11）的正面，N-漂移区（9）在N+电场终止层（10）的上方；N+有源区（4）和P+体区（6）相互接触且并排位于金属有源发射极（1）的下方并与金属有源发射极（1）相连；P型基区（5）位于N+有源区（4）和体P+区（6）的下方，N型载流子存储层（8）位于P型基区（5）和N-漂移区（9）之间；栅极结构为沟槽型栅，包括金属栅电极（2）、栅介质层（7）和多晶硅栅极12，多晶硅栅极（12）向下穿过N+有源区（4）、P型基区（5）和N型载流子存储层（8）并延伸入N-漂移区（9），多晶硅栅极（12）的上表面与金属栅电极（2）相连，多晶硅栅极12的侧面及地面被栅介质层（7）包围，栅介质层（7）的侧壁分别与N+有源区（4）、P型基区（5）、N型载流子存储层（8）和N-漂移区（9）接触；

其特征在于，所述P型基区（5）下方的栅介质层（7）的侧壁以及底部的厚度大于P型基区（5）以上的栅介质层（7）的侧壁的厚度。

2.根据权利要求1所述的变形槽栅介质的CSTBT器件，其特征在于，满足P型基区（5）下方的栅介质层（7）的侧壁以及底部的厚度大于P型基区（5）以上的栅介质层（7）的侧壁的厚度条件时，多晶硅栅极（12）的底部剖面形状是倒三角形、阶梯形或圆弧形。

3.根据权利要求1所述的变形槽栅介质的CSTBT器件，其特征在于，所述栅介质层（7）材料采用SiO₂、Si₃N₄、HfO₂或苯并环丁烯。