[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层的发光结构；

在所述发光结构上的具有突起的沟道层；

在所述发光结构和所述沟道层上的电极层；

在所述电极层上的支撑构件；和

在所述发光结构下的电极，

其中所述电极层的一部分与所述第二导电半导体层接触，

其中所述沟道层的所述突起设置在所述发光结构和所述支撑构件之间并与所述第二导电半导体层接触。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述沟道层的所述突起从所述沟道层突向所述有源层。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中所述发光结构具有内侧部分以及围绕所述内侧部分的周边部分，所述沟道层在所述发光结构和所述电极层之间沿着所述周边部分形成。

4.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中所述沟道层的所述突起沿所述发光结构的所述周边部分形成。

5.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中所述沟道层的下表面的外侧位于所述发光结构的外表面的外侧。

6.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中所述支撑构件由金属形成。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电极层包括反射电极层。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括绝缘材料。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括导电材料。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一导电半导体层的下表面包括粗糙图案。

11.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体发光器件，包括在所述电极层和所述第二导电半导体层之间形成的包括多个图案的欧姆接触层。

12.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体发光器件，其中所述沟道层的所述突起包括连续图案。

13.根据权利要求2-5中任一项所述的半导体发光器件，其中所述沟道层的所述突起形成为多个。

14.根据权利要求2-5中任一项所述的半导体发光器件，其中所述沟道层的所述突起与所述发光结构的外壁间隔约1μm至约5μm的距离。

15.根据权利要求2-5中任一项所述的半导体发光器件，其中所述沟道层和所述突起包括选自SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO₂、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟锌铝(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IrO_x、RuO_x、RuO_x/ITO、Ni/IrO_x/Au和Ni/IrO_x/Au/ITO中的至少一种。

16.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一导电半导体层包括选自AlGaN、InGaN、AlGaAs和AlGaInP中的一种，其中所述第二导电半导体层包括选自AlGaN、AlGaAs和AlGaInP中的一种。

17.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中所述支撑构件包括选自Ge、Mo、SiC、Si和Cu中的至少一种。