[发明专利]半导体发光器件有效
申请号: | 201210249340.9 | 申请日: | 2009-11-16 |
公开(公告)号: | CN102751413A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 丁换熙 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/22 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;吴鹏章 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 器件 | ||
本申请是2009年11月16日提交的、名为“半导体发光器件”的中国专利申请200910212296.2的分案申请。
技术领域
本发明实施方案涉及半导体发光器件。
背景技术
III-V族氮化物半导体已经广泛应用于光学器件例如蓝色和绿色发光二极管(LED)、高速开关器件如MOSFET(金属半导体场效应晶体管)和HEMT(异质结场效应晶体管)以及照明器件或显示器件的光源。
氮化物半导体主要用于LED或LD(激光二极管),已经对于改善氮化物半导体的制造工艺或光效率持续进行了研究。
发明内容
实施方案提供一种能够增加半导体层和另一层之间的粘附力的半导体发光器件。
实施方案提供一种半导体发光器件,其可通过在第二导电半导体层的外表面上形成粗糙图案来提高第二导电半导体层和在第二导电半导体层上的沟道层之间的粘附力。
一个实施方案提供一种半导体发光器件,包括:包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层;在所述多个化合物半导体层上的电极层;包括突起并沿所述多个化合物半导体层的上表面的周边部分形成的沟道层。
一个实施方案提供一种半导体发光器件,包括:包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电半导体层的多个化合物半导体层;电连接至第一导电半导体层的电极;在所述多个化合物半导体层上的电极层;在所述电极层上的导电支撑构件;沿第二导电半导体层的上表面的周边部分形成的沟道层;和从沟道层向下突出的突起。
在附图和以下说明中阐述了一个或多个实施方案的细节。通过说明和附图以及通过权利要求将使其它特征变得显而易见。
附图说明
图1是示出根据第一实施方案的半导体发光器件的侧视截面图;
图2是示出图1所示的半导体发光器件的底视图;
图3~12是示出制造图1所示的半导体发光器件的程序的图;和
图13是示出根据第二实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。
具体实施方式
以下,将参考附图来说明根据实施方案的半导体发光器件。在实施方案的说明中,将参考附图来描述每层的表述“之上”或“之下”,每层的厚度不限于附图所示的厚度。
在实施方案的说明中,应理解当层(或膜)、区域、图案或结构称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案‘之上’或‘之下’时,其可“直接地”或“间接地”在另一衬底、层(或者膜)、区域、垫或图案上。
图1是示出根据第一实施方案的半导体发光器件的侧视截面图;图2是示出图1所示的半导体发光器件的底视图。
参考图1和2,半导体发光器件100包括:发光结构135、具有突起145的沟道层140、电极层150和导电支撑构件160。
半导体发光器件100包括化合物半导体例如基于III-V族化合物半导体的LED,并且该LED可包括发出蓝光、绿光或红光的有色LED或UVLED。在实施方案的技术范围内,LED发出的光可不同。
发光结构135包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130。
第一导电半导体层110可包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种,其为掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素化合物半导体。当第一导电半导体层110为N-型半导体层时,第一导电掺杂剂包括N-型掺杂剂,例如Si、Ge、Sn、Se或Te。第一导电半导体层110可具有单层或多层。然而,实施方案不限于此。
具有预定形状或预定图案的电极171形成在第一导电半导体层110下方,并可具有预定形状或者可形成为预定图案。然而,实施方案不限于此。第一导电半导体层110可在其下表面上提供有粗糙图案。
有源层120形成在第一导电半导体层110上并可具有单量子阱结构或多量子阱结构。有源层120可具有使用III-V族元素化合物半导体材料的阱层和势垒层的结构。例如,有源层120可具有InGaN阱层和GaN势垒层的结构。在有源层120上和/或下方可形成导电覆层,并可包括AlGaN基层。
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