[发明专利]挡板和包含该挡板的衬底处理装置

权利要求书

1.一种衬底处理装置，包括：

等离子体产生部，其用于产生等离子体；

外罩，其置于等离子体产生部下方、并在内部具有空间；

基座，其置于所述外罩中并支撑衬底；以及

包含注入孔的挡板，所述注入孔用于将从所述等离子体产生部提供的所述等离子体注入到所述衬底；

其中，所述挡板包括基底，在所述基底中形成有所述注入孔，并且

所述基底的中心部分比其边缘厚。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，还包括密封所述外罩的敞开顶部的密封盖，并且包括导入口，等离子体通过所述导入口而从所述等离子体产生部导入，

其中，所述基底的中心部分面向所述导入口。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述基底在厚度上从其中心部分至其边缘逐渐减小。

4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述基底具有向上突出的弧形顶面以及平坦底面。

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述基底具有向上突出的弧形顶面，以及向下突出的弧形底面。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的衬底处理装置，其中所述注入孔包括：

布置于所述基底的中心部分的多个第一注入孔；以及

布置于所述基底的边缘的多个第二注入孔，并具有比所述第一注入孔大的半径。

7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其中所述第二注入孔之间的距离大于所述第一注入孔之间的距离。

8.根据权利要求1至5中的任一项所述的衬底处理装置，其中，所述挡板还包括耦接部，所述耦接部具有环形形状并从所述基底的顶面的边缘向上突出，并且

所述耦接部的上端部比所述基底的顶面的中心部分高。

9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，所述挡板还包括肋部，所述肋部从所述耦接部的上端部向所述基底的中心部分突出，并且与所述基底的顶面隔开。

10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述肋部的底面和所述耦接部的内表面之间的连接区域以及所述耦接部的内表面和所述基底的顶面之间的连接区域为圆形。

11.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，在所述基底的边缘和所述耦接部之间的连接区域中设置排气孔，并且所述排气孔是从所述耦接部的内表面向下倾斜延伸至其外表面的通孔。

12.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，设置了多个所述排气孔，并且，所述排气孔沿所述耦接部彼此隔开，并具有切口形状。

13.一种挡板，包括：

用于注入等离子体的多个注入孔；以及

在其中形成有所述注入孔的基底，

其中，所述基底的中心部分比其边缘厚。

14.根据权利要求13所述的挡板，其中，所述基底具有向上突出的弧形顶面以及平坦底面。

15.根据权利要求13所述的挡板，其中，所述基底具有向上突出的弧形顶面以及向下突出的弧形底面。

16.根据权利要求13至15中的任一项所述的挡板，还包括耦接部，所述耦接部具有环形形状并从所述基底的顶面的边缘向上突出，并且

其中，所述耦接部的上端部比所述基底的顶面的中心部分高。

17.根据权利要求16所述的挡板，还包括肋部，所述肋部从所述耦接部的上端部向所述基底的中心部分突出，并且与所述基底的顶面隔开。

18.根据权利要求16所述的挡板，还包括排气孔，所述排气孔布置于所述基底的边缘和所述耦接部之间的连接区域中、沿所述耦接部彼此隔开、并且是从所述耦接部的内表面向下倾斜延伸至其外表面的通孔。