[发明专利]挡板和包含该挡板的衬底处理装置

说明书

技术领域

本文中所公开的本发明涉及衬底处理装置，并且尤其涉及包含挡板的衬底处理装置。

背景技术

在半导体制造过程中，光致抗蚀剂被用作掩膜，以用于在衬底上形成极小的电路图案或者在衬底中注入离子。此后，通过灰化过程将光致抗蚀剂从该衬底上移除。

这种灰化过程使用等离子体来移除光致抗蚀剂。高密度等离子体可以在灰化过程中用来提高灰化率。高密度等离子体可以在高温下加热挡板。当挡板在高温中被持续加热时，挡板内部可能会出现热应力。特别地，被直接供以等离子体的挡板的中心部分与其顶面和底面具有不同温度，藉此在顶面出现拉应力而在底面出现压应力。因此，挡板的中心部分可能弯曲为向等离子体源突出的凸起形状。挡板的这种变形可能导致工艺缺陷，而且变形导致的破裂可能会产生碎屑。

发明内容

本发明提供了耐热变形的挡板。

本发明还提供了使得在衬底处理过程中的碎屑产生最小化的挡板。

本发明还提供了均匀处理衬底的衬底处理装置。

本发明实施例提供的衬底处理装置包括：用来产生等离子体的等离子体产生部；置于等离子体产生部下方并在内部具有空间的外罩；置于外罩内并支撑衬底的基座；以及包含注入孔的挡板，该注入孔用于将从等离子体产生部提供的等离子体注入到衬底；其中，挡板包含基底，在该基底中形成注入孔，并且基底的中心部分比其边缘厚。

在一些实施例中，衬底处理装置还可以包括密封盖，该密封盖对外罩的敞开顶部进行密封；以及包括导入口，通过该导入口而从等离子体产生部导入等离子体，其中，基底的中心部分面向导入口。

在其它实施例中，基底可以在厚度上从其中心部分至其边缘逐渐减小。

在另外的实施例中，基底可以具有向上突出的弧形顶面和平坦底面。

在另外的实施例中，基底具有向上突出的弧形顶面和向下突出的弧形底面。

在其它实施例中，注入孔可以包括：布置于基底中间部分的多个第一注入孔；以及布置于基底边缘的多个第二注入孔，且其半径大于第一注入孔的半径。

在又一实施例中，第二注入孔之间的距离可以大于第一注入孔之间的距离。

在另外的实施例中，挡板还可以包括具有环形形状并从基底顶面的边缘向上突出的耦接部，并且耦接部的上端部可以高于基底顶面的中心部分。

在另外的实施例中，挡板还可以包括从耦接部上端部向基底中心部分突出的肋部，并且与基底的顶面隔开。

在另外的实施例中，肋部的底面和耦接部的内表面之间的连接区域以及耦接部的内表面和基底的顶面之间的连接区域可以为圆形。

在另外的实施例中，排气孔被布置于基底边缘和耦接部之间的连接区域中，并且是从耦接部的内表面向下倾斜延伸至其外表面的通孔。

在另外的实施例中，设置了多个排气孔，并且，所述排气孔沿耦接部彼此隔开，并具有切口形状。

在本发明的其它实施例中，挡板包括：用于注入等离子体的多个注入孔；以及在其中形成有注入孔的基底，其中基底的中心部分比其边缘厚。

在一些实施例中，基底可以具有向上突出的弧形顶面以及平坦的底面。

在其它实施例中，基底可以具有向上突出的弧形顶面以及向下突出的弧形底面。

在另外的实施例中，挡板还包括具有环形形状并从基底顶面的边缘向上突出的耦接部，并且，其中，耦接部的上端部高于基底顶面的中心部分。

在另外的实施例中，挡板还可以包括从耦接部的上端部向基底中心部分突出的肋部，并且与基底顶面隔开。

在另外的实施例中，挡板还包括布置于基底边缘和耦接部之间的连接区域中的排气孔，该排气孔沿耦接部彼此隔开，并且是从耦接部的内表面向下倾斜延伸至其外表面的通孔。

附图说明

结合附图来提供对本发明的进一步理解，附图被纳入本说明书中并构成其一部分。附图示出了本发明的示例性实施例，并连同说明书一起用以解释本发明的原理。在附图中：

图1为示出根据本发明实施例的衬底处理装置的视图；

图2为示出图1的挡板的俯视图；

图3为沿着图2的A-A’线的横截面视图；

图4A为示出在提供肋部时产生的漩涡的横截面视图；

图4B为示出将肋部移除时产生的漩涡的横截面视图；

图5A为示出在图1的衬底处理装置内向挡板提供等离子体时的状态的横截面视图；

图5B为示出在相关技术中向具有平坦顶面的挡板提供等离子体时的状态的横截面视图；