[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201210253477.1 申请日: 2012-07-20
公开(公告)号: CN102891128A 公开(公告)日: 2013-01-23
发明(设计)人: 铃木秀敏;堀田雄一;下田雄之;小川裕司;西山拓;大久保忠宣;小野寺淳一;生田武史;奥村尚久;渡边胜好;土井一英 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/60;G06K19/077
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 杨晓光;于静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【说明书】:

相关申请交叉引用

本申请基于并主张2011年7月20日提交的先前日本专利申请序号2011-159291中的优先利益;该申请的全部内容在此引用作为参考。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体存储装置。

背景技术

SD(注册商标)卡(下文称为SD卡)是一种众所周知的存储卡。此外还有Micro SD(注册商标)卡。Micro SD卡在操作和特性方面与SD卡类似,然后另一方面,它的尺寸要小于SD卡。类似于SD卡,Micro SD卡具有产品必须遵守的各种限制,这具体取决于对其设定的规格。进一步地,与任何类型产品一样,Micro SD卡也要确保产品可靠性,并允许高效地设计和制造。

发明内容

本发明的实施例实现具有产品可靠性的半导体存储装置。

一般而言,根据一个实施例,半导体存储装置具有包括存储电路的存储器芯片、控制所述存储器芯片的控制器芯片,以及具有彼此相对的第一表面和第二表面的基板,在所述基板的第一表面上安装有所述控制器芯片。进一步地,所述半导体存储装置具有在所述基板的所述第二表面上形成的外部连接端子、以及包封所述存储器芯片、所述控制器芯片和所述基板的树脂,所述树脂具有彼此相对的第三表面和第四表面,并且具有仅在邻近所述基板的所述第二表面的所述第四表面上直接印刷的预定标记。

本发明的实施例可以实现具有产品可靠性的半导体存储装置。

附图说明

图1示意性地示出第一实施例的存储卡外观的特定实例;

图2是示出在第一实施例的存储卡上印刷的激光标记的图;

图3是示意性地示出第一实施例的存储卡实例的基本内部结构的截面图;

图4是示意性地示出第一实施例的存储卡的基本制造方法的流程图;

图5是示意性地示出第一实施例的第一变形的存储卡实例的基本内部结构的截面图;

图6是示意性地示出存储卡外观的特定实例的图;

图7是示意性示出第一实施例的第二变形的存储卡的基本制造方法的流程图;

图8是示意性地示出实施例的存储卡基本外观的图;

图9是示意性地示出第三实施例的存储卡的基本内部结构的图;

图10是示意性地示出第三实施例的存储卡的基板的基本互连结构的图;

图11是示意性地示出第三实施例的存储卡的基本结构的截面图;

图12是示意性地示出第三实施例的存储卡的基本结构的截面图;

图13是示意性地示出第四实施例的存储卡的基本内部结构的截面图;

图14是示意性地示出第四实施例的存储卡的基板的基本互连结构的截面图;

图15是示意性地示出第四实施例的存储卡的基本结构的截面图;

图16是示意性地示出第四实施例的存储卡的基本结构的截面图;

图17是示意性地示出第四实施例的存储卡的基本结构的截面图;

图18是示意性地示出第四实施例的第一变形的存储卡的基板的基本互连结构的图表;

图19是示意性地示出第四实施例的第一变形的存储卡的基本结构的截面图;

图20是示意性地示出第四实施例的第一变形的存储卡的基本结构的截面图;

图21是示意性地示出第四实施例的第二变形的存储卡的基本结构的截面图;

图22是示意性地示出第四实施例的第二变形的存储卡的基本结构的截面图;

图23是示意性地示出第五实施例的存储卡的基本内部结构的图;

图24是示意性地示出第五实施例的存储卡的基本结构的截面图;

图25是示意性地示出第五实施例的存储卡的基本结构的截面图;

图26是示意性地示出第五实施例的第一变形的存储卡的基本结构的图;

图27是示意性地示出第五实施例的第二变形的存储卡的基本结构的图表;

图28是示意性地示出第五实施例的存储卡的基本内部结构的平面图;以及

图29是示意性地示出第五实施例的存储卡的引线框架的基本结构的平面图。

具体实施方式

在下文中,将参考附图阐述实施例的细节。在所给出的解释中,所有附图中的相同部分具有相同标号。组成标号的数字后面的字母可以由包括相同数字的标号标示,并且用于区分具有类似配置的要素。在包括相同数字的标号所指示的元素不需要彼此区分的情况下,这些要素将由只包括数字的标号来标示。例如,在要素的标号为1a的情况下,不需要1b来彼此进行区分,则这些要素将统一由标号1来标示。

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