[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括基板，设置于所述基板上的有源层、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，其特征在于，还包括：

设置于所述有源层上的导电刻蚀阻挡层；所述导电刻蚀阻挡层的位置与所述有源层的源极、漏极区域相对应，在所述有源层的源极、漏极区域上方形成有过孔，且该过孔不超过所述导电刻蚀阻挡层的边缘。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述设置于所述基板上的有源层、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，包括：

设置于所述基板上的所述有源层；

设置于所述有源层和基板上的所述栅绝缘层；

设置于所述栅绝缘层上的所述栅极；

设置于所述栅极和栅绝缘层上的所述层间绝缘层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电刻蚀阻挡层设置于所述有源层与所述栅绝缘层之间。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

设置于所述基板与所述有源层之间的缓冲层。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述设置于所述基板上的有源层、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，包括：

设置于所述基板上的所述栅极；

设置于所述栅极和基板上的所述栅绝缘层；

设置于所述栅绝缘层上的所述有源层；

设置于所述有源层和栅绝缘层上的所述层间绝缘层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电刻蚀阻挡层设置于所述有源层与所述层间绝缘层之间。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电刻蚀阻挡层的厚度在1500埃至3000埃的范围内。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括阵列形成的如权利要求1-7任意一项所述的薄膜晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的阵列基板。

10.一种薄膜晶体管的制作方法，包括在基板上形成有源层、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，其特征在于，

在形成所述有源层后，还包括：

在所述有源层上形成导电刻蚀阻挡层，所述导电刻蚀阻挡层的位置与所述有源层的源极、漏极区域相对应；

在形成所述层间绝缘层后，还包括：

利用过孔刻蚀工艺在所述有源层的源极、漏极区域上方形成过孔，所述过孔不超过所述导电刻蚀阻挡层的边缘。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述有源层上形成导电刻蚀阻挡层，包括：

采用溅射、热蒸发、等离子体增强化学气相沉积PECVD、低压化学气相沉积LPCVD、大气压化学气相沉积APCVD或电子回旋谐振化学气相沉积ECR-CVD法形成所述导电刻蚀阻挡层。