[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

随着科技的不断进步，用户对液晶显示设备的需求日益增加，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)也成为了手机、平板电脑等产品中使用的主流显示器。此外，随着显示设备的普及，用户对高色彩质量、高对比度、高可视角度、高响应速度且低功耗的需求越来越普遍，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器也开始逐渐进入用户的视野。

如图1所示，现有技术中，薄膜晶体管的一种制作方法为在基板10上依次沉积有源层12、栅绝缘层13、栅极14以及层间绝缘层17后，采用过孔刻蚀工艺，在有源层12的源极120、漏极121上方的对应区域刻蚀出过孔16(即刻蚀栅绝缘层13、层间绝缘层17的部分区域)。其中，过孔16的作用是，通过在过孔16中填充导电电极材料来实现有源层12与外界电路的连接。

但是，发明人发现，目前栅极绝缘层、层间绝缘层都无法做到厚度完全均匀，而且干法刻蚀工艺也无法做到完全均匀性刻蚀，从而在刻蚀过孔时，存在有的区域刚好刻蚀至有源层之上，有的区域会将有源层刻蚀掉一部分或者残留部分绝缘层的现象，这必然导致的结果是，有源层与导电电极材料的接触电阻不均匀，甚至部分区域的接触电阻相当大，这影响到了使用薄膜晶体管的显示器件的开关特性，并且，当基板面积越大时，这种问题越突出。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够当过孔刻蚀工艺在源极、漏极区域上方形成过孔时，不破坏有源层。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明提供一种薄膜晶体管，包括基板，设置于所述基板上的有源层、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，还包括：

设置于所述有源层上的导电刻蚀阻挡层；所述导电刻蚀阻挡层的位置与所述有源层的源极、漏极区域相对应，在所述有源层的源极、漏极区域上方形成有过孔，且该过孔不超过所述导电刻蚀阻挡层的边缘。

所述设置于所述基板上的有源层、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，包括：

设置于所述基板上的所述有源层；

设置于所述有源层和基板上的所述栅绝缘层；

设置于所述栅绝缘层上的所述栅极；

设置于所述栅极和栅绝缘层上的所述层间绝缘层。

所述导电刻蚀阻挡层设置于所述有源层与所述栅绝缘层之间。

薄膜晶体管还包括：

设置于所述基板与所述有源层之间的缓冲层。

所述设置于所述基板上的有源层、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，包括：

设置于所述基板上的所述栅极；

设置于所述栅极和基板上的所述栅绝缘层；

设置于所述栅绝缘层上的所述有源层；

设置于所述有源层和栅绝缘层上的所述层间绝缘层。

所述导电刻蚀阻挡层设置于所述有源层与所述层间绝缘层之间。

所述导电刻蚀阻挡层的厚度在1500埃至3000埃的范围内。

本发明还提供一种阵列基板，包括阵列形成的具有上述任意特征的薄膜晶体管。

本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括在基板上形成有源层、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，在形成所述有源层后，还包括：

在所述有源层上形成导电刻蚀阻挡层，所述导电刻蚀阻挡层的位置与所述有源层的源极、漏极区域相对应；

在形成所述层间绝缘层后，还包括：

利用过孔刻蚀工艺在所述有源层的源极、漏极区域上方形成过孔，所述过孔不超过所述导电刻蚀阻挡层的边缘。

所述在所述有源层上形成导电刻蚀阻挡层，包括：

采用溅射、热蒸发、等离子体增强化学气相沉积PECVD、低压化学气相沉积LPCVD、大气压化学气相沉积APCVD或电子回旋谐振化学气相沉积ECR-CVD法形成所述导电刻蚀阻挡层。