[发明专利]用于快速唤醒振荡器的快速启动超低功率偏置发生器有效

专利信息
申请号: 201210258418.3 申请日: 2012-07-24
公开(公告)号: CN102904526A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 凯文·马胡提;山凯特·甘地 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H03B5/06 分类号: H03B5/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 用于 快速 唤醒 振荡器 启动 功率 偏置 发生器
【权利要求书】:

1.一种偏置发生器,包括:

偏置发生器电路;

主启动电路,所述主启动电路向偏置发生器电路中的第一节点施加电流;

次启动电路,所述次启动电路向偏置发生器电路中的附加节点施加电流;以及

功率开关,所述功率开关接收来自电源的功率,并将功率提供至偏置发生器电路、主启动电路和次启动电路。

2.根据权利要求1所述的偏置发生器,还包括:时序控制信号,用于按照期望的顺序将功率开关、主启动电路和次启动电路接通。

3.根据权利要求2所述的偏置发生器,还包括延迟元件,所述延迟元件接收外部时序控制信号以产生所述时序控制信号。

4.根据权利要求1所述的偏置发生器,还包括断电电路,所述断电电路将偏置发生器断电。

5.根据权利要求1所述的偏置发生器,其中,所述偏置发生器电路还包括级联PMOS晶体管对和级联NMOS晶体管对。

6.根据权利要求5所述的偏置发生器,其中:

级联PMOS晶体管对连接在电源线和级联NMOS晶体管对之间,以及级联NMOS晶体管对连接在地与级联PMOS晶体管对之间,并且

主启动电路连接至级联NMOS晶体管对之间的节点。

7.根据权利要求1所述的偏置发生器,其中,偏置发生器电路对振荡器进行偏置。

8.一种产生偏置信号的方法,包括:

向偏置发生器电路供应功率;

向偏置发生器电路中的节点施加第一启动电流;

向偏置发生器电路中的附加节点施加第二启动电流;以及

输出偏置信号。

9.一种控制偏置发生器的方法,包括:

接收外部时序控制信号;

向主启动电路施加外部时序控制信号;

通过对外部时序控制信号进行延迟来产生第一时序控制信号;

向主启动电路和次启动电路施加第一时序控制信号;

通过对外部时序控制信号进行延迟来产生第二时序控制信号;以及

向功率开关施加第二时序控制信号,以向偏置发生器供应功率。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,产生第二时序控制信号包括对第一时序控制信号进行延迟。

11.根据权利要求9所述的方法,还包括:将来自主启动电路的电流信号施加到偏置发生器电路中的节点。

12.根据权利要求11所述的方法,还包括:将来自次启动电路的电流信号施加到偏置发生器电路中的附加节点。

13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述节点位于偏置发生器电路中的级联NMOS晶体管对之间。

14.根据权利要求13所述的方法,其中:

所述附加节点包括第一附加节点、第二附加节点和第三附加节点,

第一附加节点位于级联NMOS晶体管对的上部晶体管的栅极处,

第二附加节点位于级联PMOS晶体管对的上部晶体管的栅极处,以及

第三附加节点位于级联PMOS晶体管对的下部晶体管的栅极处。

15.根据权利要求9所述的方法,还包括:

通过对外部时序控制信号进行延迟,来产生第三时序控制信号;以及

将第三时序控制信号施加到断电电路。

16.根据权利要求15所述的方法,还包括:将外部时序控制信号施加到完全断电电路。

17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述完全断电电路将主启动电路的输出与地相连和断开。

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