[发明专利]TFT制造方法、显示器件的制造方法及显示器件、显示装置在审
| 申请号： | 201210258621.0 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103578990A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 许睿;黎蔚 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 王黎延;周义刚 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 制造 方法 显示 器件 显示装置 | ||
1.一种薄膜场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：
形成源极层，对源极层进行光刻形成源极；及
沉积漏极层，该漏极层的材料与源极层的材料不同，对漏极层进行光刻形成漏极；
或者，
形成漏极层，对漏极层进行光刻形成漏极；及
沉积源极层，该源极层的材料与漏极层不同，对源极层进行光刻形成源极。
2.一种显示器件的制造方法，该显示器件包括薄膜场效应晶体管，其特征在于，该制造方法包括步骤：
形成源极层，对源极层进行光刻形成源极；及
沉积漏极层，该漏极层的材料与源极层的材料不同，对漏极层进行光刻形成漏极；
或者，
形成漏极层，对漏极层进行光刻形成漏极；及
沉积源极层，该源极层的材料与漏极层不同，对源极层进行光刻形成源极。
3.根据权利要求2所述的显示器件的制造方法，其特征在于，所述漏极层透明，在对漏极层进行光刻形成漏极的同时形成像素电极。
4.根据权利要求3所述的显示器件的制造方法，其特征在于，所述漏极层的材料为ITO。
5.根据权利要求3所述的显示器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
在基板上形成包括栅极的栅极图案和栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成有源层；
沉积源极层，对源极层进行光刻形成包括源极和数据线的源极图案；
形成钝化层图案，露出漏极位置；
进行所述沉积漏极层，对漏极层进行光刻形成漏极和像素电极。
6.一种显示器件，其特征在于，由权利要求2-5中任意一项所述的方法制成。
7.一种显示器件，包括基板和薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述源极的材料和漏极的材料不同。
8.根据权利要求7显示器件，其特征在于，还包括像素电极，所述像素电极和所述漏极由同一层材料形成。
9.根据权利要求8显示器件，其特征在于，所述像素电极和所述漏极的材料均为ITO。
10.一种显示装置，其特征在于，该显示装置中的显示器件由权利要求2-5中任意一项所述的方法制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
