[发明专利]TFT制造方法、显示器件的制造方法及显示器件、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)、显示器件的制造方法及显示器件、显示装置。

背景技术

在液晶显示领域中，采用沟道长度小的TFT有利于提高像素的开口率，而像素开口率越高，透光率越高，显示效果越好。

但是，现有技术中，扭曲向列型(TN)面板、边缘场开关(FFS)面板、平面方向转换(IPS)面板等所采用的TFT结构中，源极(source)和漏极(drain)形成于金属材料相同的同一层上，那么，源极和漏极的形成只能在同一步制作工艺中完成刻蚀，这样，就不能任意调整TFT沟道的长度，而如果TFT沟道的长度过小，光刻胶很容易残留于沟道中，导致TFT的源极和漏极相连，从而会影响TFT沟道的形成。

显然，源极和漏极形成于金属材料相同的同一层上不利于减小TFT沟道的长度，从而不利于提高显示效果。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种TFT的制造方法、显示器件的制造方法及显示器件、显示装置，能够减小TFT沟道的长度、且不会影响TFT沟道的形成，进而提高显示效果。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种薄膜场效应晶体管的制造方法，包括步骤：

形成源极层，对源极层进行光刻形成源极；及

沉积漏极层，该漏极层的材料与源极层的材料不同，对漏极层进行光刻形成漏极；

或者，

形成漏极层，对漏极层进行光刻形成漏极；及

沉积源极层，该源极层的材料与漏极层不同，对源极层进行光刻形成源极。

一种显示器件的制造方法，该显示器件包括薄膜场效应晶体管，该制造方法包括步骤：

形成源极层，对源极层进行光刻形成源极；及

沉积漏极层，该漏极层的材料与源极层的材料不同，对漏极层进行光刻形成漏极；

或者，

形成漏极层，对漏极层进行光刻形成漏极；及

沉积源极层，该源极层的材料与漏极层不同，对源极层进行光刻形成源极。

所述漏极层透明，在对漏极层进行光刻形成漏极的同时形成像素电极。

所述漏极层的材料为ITO。

包括步骤：

在基板上形成包括栅极的栅极图案和栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层；

沉积源极层，对源极层进行光刻形成包括源极和数据线的源极图案；

形成钝化层图案，露出漏极位置；

进行所述沉积漏极层，对漏极层进行光刻形成漏极和像素电极。

一种显示器件，由上述的方法制成。

一种显示器件，包括基板和薄膜场效应晶体管，所述源极的材料和漏极的材料不同。

该显示器件还包括像素电极，所述像素电极和所述漏极由同一层材料形成。

所述像素电极和所述漏极的材料均为ITO。

一种显示装置，该显示装置中的显示器件由上述的方法制成。

本发明TFT、显示器件的制造方法及显示器件、显示装置，由于源极和漏极形成于不同层且两者的材料不同，因此，可以在完成后面的光刻时使用对先完成光刻的源极(或者漏极)结构影响小的加工条件，包括不同的刻蚀材料和温度等，从而能够在不同工艺步骤中完成刻蚀，如此，就可以灵活的设置TFT沟道的长度；进一步的，就不会因为TFT沟道的长度过小，使光刻胶残留于沟道中，进而不会影响TFT沟道的形成；也就是说，本发明能在不影响TFT沟道形成的前提下尽量减小TFT沟道的长度，进而提高显示效果。

附图说明

图1为本发明实施例一种薄膜场效应晶体管的制造方法流程示意图；

图2为本发明另一实施例一种薄膜场效应晶体管的制造方法流程示意图；

图3为根据上述方法形成的显示器件中像素的结构示意图；

图4为现有技术显示器件中像素的结构示意图；

图5为本发明实施例一种显示器件的制造方法的详细流程示意图；

图6为在基板6上形成包括栅极的栅极图案7和栅绝缘层8的示意图；

图7为在所述栅绝缘层8上形成有源层9的示意图；

图8为沉积源极层10，对源极层10进行光刻形成包括源极和数据线的源极图案的示意图；

图9为形成钝化层图案11，露出漏极位置的示意图；

图10为沉积漏极层12，对漏极层12进行光刻形成漏极和像素电极的示意图。

附图标记说明：