[发明专利]多栅极场效晶体管及其制作工艺

权利要求书

1.一种多栅极场效晶体管，包含有：

基底，具有第一区以及第二区；

介电层，仅位于该第一区中的该基底中；以及

至少一鳍状结构，位于该介电层上。

2.如权利要求1所述的多栅极场效晶体管，其中该介电层位于该鳍状结构与该基底之间，且该鳍状结构与该基底分别自上下夹置该介电层。

3.如权利要求1所述的多栅极场效晶体管，其中该鳍状结构具有上半部与下半部，该上半部包含硅质结构，该下半部包含介电结构。

4.如权利要求1所述的多栅极场效晶体管，还包含多个该鳍状结构皆位于该介电层上，其中该介电层位于该鳍状结构的正下方以及该鳍状结构之间的该基底中。

5.如权利要求1所述的多栅极场效晶体管，其中该基底围绕该介电层。

6.如权利要求1所述的多栅极场效晶体管，还包含衬垫层，位于该鳍状结构的部分侧壁。

7.如权利要求6所述的多栅极场效晶体管，其中该衬垫层的底面实质上与该介电层的顶面切齐。

8.如权利要求1所述的多栅极场效晶体管，还包含绝缘结构，位于该鳍状结构周围的该介电层上。

9.如权利要求8所述的多栅极场效晶体管，其中该绝缘结构与该氧化层之间具有一界面。

10.如权利要求1所述的多栅极场效晶体管，还包含栅极结构，跨设于该鳍状结构上，并将该鳍状结构分成源极与漏极，位于该栅极结构的两侧。

11.一种多栅极场效晶体管制作工艺，包含有：

形成至少一鳍状结构于一基底中以及一衬垫层于该鳍状结构的一上半部的侧壁并暴露出该鳍状结构的一下半部；以及

进行一氧化制作工艺，氧化暴露出的该下半部。

12.如权利要求11所述的多栅极场效晶体管制作工艺，其中形成该鳍状结构以及形成该衬垫层的步骤，包含：

形成一图案化的硬掩模层于该基底上；

进行一蚀刻制作工艺以形成该鳍状结构的该上半部；

全面覆盖一衬垫层材料于该鳍状结构的该上半部以及该基底；以及

进行至少一蚀刻制作工艺，移除部分该衬垫层材料与部分该基底以形成该衬垫层以及形成该鳍状结构的该下半部。

13.如权利要求12所述的多栅极场效晶体管制作工艺，其中该衬垫层以及该图案化的硬掩模层都包含氮化层，且该图案化的硬掩模的氮化层的厚度大于该衬垫层的厚度。

14.如权利要求11所述的多栅极场效晶体管制作工艺，其中在进行该氧化制作工艺之后，还包含：

移除至少部分该衬垫层。

15.如权利要求11所述的多栅极场效晶体管制作工艺，其中该氧化制作工艺包含一通入水蒸气的热制作工艺。

16.如权利要求11所述的多栅极场效晶体管制作工艺，其中进行该氧化制作工艺会同时氧化暴露出的该下半部以及该鳍状结构周围的部分该基底，以形成一介电层。

17.如权利要求16所述的多栅极场效晶体管制作工艺，其中进行该氧化制作工艺包含氧化暴露出的该下半部至各该鳍状结构的该下半部合并在一起而与氧化的该鳍状结构之间的该基底形成一块状介电层。

18.如权利要求11所述的多栅极场效晶体管制作工艺，在形成该氧化层之后，还包含：

形成一绝缘结构于该鳍状结构周围的该氧化层上。

19.如权利要求18所述的多栅极场效晶体管制作工艺，其中形成该绝缘结构的步骤包含：

形成一绝缘材料覆盖于该鳍状结构与该氧化层上；

平坦化该绝缘材料；以及

回蚀刻该绝缘材料。

20.如权利要求11所述的多栅极场效晶体管制作工艺，其中在进行该氧化制作工艺之后，还包含：

形成一栅极结构，跨设该鳍状结构；以及

形成一源极与一漏极，位于该栅极结构两侧的该鳍状结构中。