[发明专利]一种MOS器件的钝化层形成方法以及一种MOS器件在审
| 申请号： | 201210260811.6 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103578919A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王者伟;陈雪磊;高留春;刘斌斌;赵宏星;黄国民;焦骥斌;蒋龙 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐小会;王忠忠 |
| 地址： | 214028 中国无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 钝化 形成 方法 以及 | ||
1.一种MOS器件的钝化层形成方法，其特征在于，所述方法包括：
形成衬底；
在衬底上形成介质；
图案化介质以露出部分衬底；
在露出的衬底部分和介质上形成金属；
在金属上形成正硅酸乙酯TEOS；
在TEOS上形成磷硅玻璃PSG；以及
在PSG上形成氮氧化合物。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述TEOS的厚度为9000埃-11000埃，所述PSG的厚度为2700埃-3300埃，所述氮硅化合物可为SiON，所述SiON的厚度为2700埃-3300埃，另外，所述氮硅化合物还可为SiN。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述TEOS的厚度为10000埃，所述PSG的厚度为3000埃，所述SiON的厚度为3000埃。
4.如权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，以化学气相淀积方式形成TEOS、PSG、SiON或TEOS、PSG、SiN。
5.如权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，所述MOS器件为CMOS器件或DMOS器件。
6.一种MOS器件，其特征在于，所述MOS器件包括衬底、形成在部分衬底上的介质、形成在介质和衬底上的金属以及形成在金属上的钝化层，其中所述钝化层包括：
形成在金属上的正硅酸乙酯TEOS；
形成在TEOS上的磷硅玻璃PSG；以及
形成在PSG上的氮硅化合物。
7.如权利要求6所述的MOS器件，其特征在于，所述TEOS的厚度为9000埃-11000埃，所述PSG的厚度为2700埃-3300埃，所述氮硅化合物可为SiON，所述SiON的厚度为2700埃-3300埃，另外，所述氮硅化合物还可为SiN。
8.如权利要求7所述的MOS器件，其特征在于，所述TEOS的厚度为10000埃，所述PSG的厚度为3000埃，所述SiON的厚度为3000埃。
9.如权利要求6-8之一所述的MOS器件，其特征在于，以化学气相淀积方式形成TEOS、PSG、SiON或TEOS、PSG、SiN。
10.如权利要求6-8之一所述的MOS器件，其特征在于，所述MOS器件为CMOS器件或DMOS器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210260811.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
