[发明专利]一种MOS器件的钝化层形成方法以及一种MOS器件

说明书

技术领域

本发明属于半导体器件制造领域，尤其涉及一种MOS器件的钝化层形成方法以及一种MOS器件。

背景技术

如图1所示，示出了现有技术的DMOS产品的结构。该DMOS产品包括衬底1、介质2、金属3和钝化层4。其中该钝化层4为10000埃的氮化硅层。

通常，高压DMOS产品需要做HTRB测试（高温/反向高压可靠性测试）和HTGB测试（高温高压（栅极）可靠性测试），因其应用不同，其要求也不同。一些低端产品只要求通过168小时的测试，而一些高端产品则需要通过1000小时的测试。在实际生产中发现，很多产品在500小时以上的考核中，由于在进行盐酸浸泡（即针孔实验）后，有大量的铝被侵蚀，钝化层4存在开裂现象，从而很容易发生漏电问题。

发明内容

有鉴于此，本发明需要提供一种新的钝化层形成方法和MOS器件，以改善钝化层开裂问题。

本发明提供了一种MOS器件的钝化层形成方法，所述方法包括：

形成衬底；

在衬底上形成介质；

图案化介质以露出部分衬底；

在露出的衬底部分和介质上形成金属；

在金属上形成正硅酸乙酯TEOS；

在TEOS上形成磷硅玻璃PSG；以及

在PSG上形成氮硅化合物。

优选地，在本发明的上述方法中，所述TEOS的厚度为9000埃-11000埃，所述PSG的厚度为2700埃-3300埃，所述氮硅化合物可为SiON，所述SiON的厚度为2700埃-3300埃，另外，所述氮硅化合物还可为SiN。

优选地，在本发明的上述方法中，所述TEOS的厚度为10000埃，所述PSG的厚度为3000埃，所述SiON的厚度为3000埃。

优选地，在本发明的上述方法中，以化学气相淀积方式形成TEOS、PSG、SiON或TEOS、PSG、SiN。

优选地，在本发明的上述方法中，所述MOS器件为CMOS器件或DMOS器件。

本发明还提供一种MOS器件，所述MOS器件包括衬底、形成在部分衬底上的介质、形成在介质和衬底上的金属以及形成在金属上的钝化层，其中所述钝化层包括：

形成在金属上的正硅酸乙酯TEOS；

形成在TEOS上的磷硅玻璃PSG；以及

形成在PSG上的氮硅化合物。

优选地，在本发明的上述MOS器件中，所述TEOS的厚度为9000埃-11000埃，所述PSG的厚度为2700埃-3300埃，所述氮硅化合物可为SiON，所述SiON的厚度为2700埃-3300埃，另外，所述氮硅化合物还可为SiN。

优选地，在本发明的上述MOS器件中，所述TEOS的厚度为10000埃，所述PSG的厚度为3000埃，所述SiON的厚度为3000埃。

优选地，在本发明的上述MOS器件中，以化学气相淀积方式形成TEOS、PSG、SiON或TEOS、PSG、SiN。

优选地，在本发明的上述MOS器件中，所述MOS器件为CMOS器件或DMOS器件。

利用本发明，由于底层的TEOS和PSG可以有效缓解顶层的应力，同时顶层氮氧化硅的应力比原来的氮化硅应力小，从而有效改善钝化层开裂问题。

利用本发明，可以有效降低产品报废率，提高生成效率。

附图说明

图1为根据现有技术的DMOS产品的结构示意图；

图2为根据本发明的示意性实施例的MOS器件的钝化层形成方法；以及

图3为根据本发明的示意性实施例的MOS器件的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图详细描述本发明的优选实施例，在附图中相同的参考标号表示相同的元件。

图2为根据本发明的示意性实施例的MOS器件的钝化层形成方法。如图所示，该方法包括以下步骤：

S1:形成衬底。衬底可以例如为<100晶向>，电阻15~25欧姆的单晶硅。

S2:在衬底上形成介质。介质可以例如为氧化层，例如为氧化硅层。

S3:图案化介质以露出部分衬底。

S4:在露出的衬底部分和介质上形成金属。金属可以例如为铝。

S5:在金属上形成正硅酸乙酯TEOS。优选地，TEOS的厚度为9000埃-11000埃。更优选地，TEOS的厚度为10000埃。

S6:在TEOS上形成磷硅玻璃PSG。优选地，PSG的厚度为2700埃-3300埃。更优选地，PSG的厚度为3000埃。