[发明专利]图像传感器制造方法以及图像传感器在审
| 申请号： | 201210262017.5 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102751303A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 令海阳;黄庆丰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制造 方法 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种图像传感器制造方法，其特征在于包括：
第一步骤：执行针对图像传感器的有源区的刻蚀；
第二步骤：形成浅沟槽区域，并且对浅沟槽区域的衬里进行氧化；
第三步骤：利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，并且利用沟槽掩膜进行注入隔离区第一次离子注入；
第四步骤：执行像素工艺以便对感光二极管进行离子注入；以及
第五步骤：不采用掩膜，对整个图像传感器执行整片注入，以完成注入隔离区第二次离子注入。
2.根据权利要求1所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述第三步骤S3中的注入隔离区第一次离子注入包括在50kev的离子掺杂能量以及6×1012的剂量的条件下进行硼元素注入。
3.根据权利要求1或2所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述第五步骤S5中的注入隔离区第二次离子注入包括在750kev的离子掺杂能量以及14×1012的剂量的条件下进行B硼元素注入。
4.根据权利要求1或2所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述第五步骤S5中的注入隔离区第二次离子注入包括在500kev的离子掺杂能量以及10×1012的剂量的条件下进行B硼元素注入。
5.根据权利要求1或2所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述图像传感器制造方法用于制造接触式图像传感器。
6.一种根据权利要求1至5之一所述的图像传感器制造方法制成的图像传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210262017.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
