[发明专利]图像传感器制造方法以及图像传感器

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种图像传感器制造方法以及由此制成的图像传感器。

背景技术

图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可分为CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体元件)两大类。

在图像传感器设计及制造过程中需要在硅片上制造像素单元，这些像素结构必须与其周围的器件或区域进行有效隔离，例如与周围的像素结构进行隔离。

而且，实际上，如果没有隔离，则图像传感器容易在两个像素结构区之间形成串扰信号(电子)，所以，在现有技术中，一般在二极管周围的浅沟槽区域上制造掩膜孔，并进行离子注入以便在底部隔离相邻的有源区。这个隔离可形成了一个′四面墙′围绕的注入隔离区形状。

图1示意性地示出了图像传感器的相邻像素区域之间的注入隔离区的示意图。如图1所示，在现有技术中，用于相邻像素结构区之间的防止电串扰信号的注入隔离区2是在形成(光刻并刻蚀)各个像素区域1内的感光二极管(未示出)之后通过利用一个附加的掩膜来形成的。其中，由于注入隔离区2最后形成，所以注入隔离区2可能与各个像素区域1之间的浅沟槽区域(未示出)部分重叠。

但是，在现有技术的图像传感器制造方法，需要一个附加掩膜来形成相邻像素区域之间的注入隔离区，由此增大了图像传感器的制造成本，并且增加了单独的制造注入隔离区的工艺步骤，由此增加了工艺复杂性。

所以，希望能够提供一种能够省略为了形成相邻像素区域之间的注入隔离区而增加的附加掩膜从而降低图像传感器的制造成本并降低工艺复杂性的图像传感器制造方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够省略为了形成相邻像素区域之间的注入隔离区而增加的附加掩膜从而降低图像传感器的制造成本并降低工艺复杂性的图像传感器制造方法，并且提供一种根据该图像传感器制造方法制成的图像传感器。

根据本发明的第一方面，提供了一种图像传感器制造方法，其包括：第一步骤：执行针对图像传感器的有源区的刻蚀；第二步骤：形成浅沟槽区域，并且对浅沟槽区域的衬里进行氧化；第三步骤：利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，并且利用沟槽掩膜进行注入隔离区第一次离子注入；第四步骤：执行像素工艺以便对感光二极管进行离子注入；以及第五步骤：不采用掩膜，对整个图像传感器执行整片注入，以完成注入隔离区第二次离子注入。

优选地，在上述图像传感器制造方法中，所述第三步骤S3中的注入隔离区第一次离子注入包括在50kev的离子掺杂能量以及6×10¹²的剂量的条件下进行硼元素注入。

优选地，在上述图像传感器制造方法中，所述第五步骤S5中的注入隔离区第二次离子注入包括在750kev的离子掺杂能量以及14×10¹²的剂量的条件下进行B硼元素注入。

优选地，在上述图像传感器制造方法中，所述第五步骤S5中的注入隔离区第二次离子注入包括在500kev的离子掺杂能量以及10×10¹²的剂量的条件下进行B硼元素注入。

优选地，所述图像传感器制造方法用于制造接触式图像传感器。

根据本发明的第二方面，提供了一种根据本发明第一方面所述图像传感器制造方法制成的图像传感器。

根据本发明的图像传感器制造方法把原来的注入隔离区的离子注入分成两部分来实现：第一、借助沟槽区域的掩膜注入进行注入隔离区第一次离子注入；在完成感光二极管的离子注入之后，不做掩膜，直接整片注入。由此，根据本发明实施例的图像传感器制造方法省略了利用附加掩膜进行的注入隔离区的离子注入，由此省略了形成相邻像素区域之间的注入隔离区而增加的附加掩膜从而降低图像传感器的制造成本并降低工艺复杂性。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了图像传感器的相邻像素区域之间的注入隔离区的示意图。

图2示意性地示出了根据本发明实施例的图像传感器制造方法的流程图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式