[发明专利]芯片密封环结构

说明书

技术领域

本发明有关于一种芯片密封环结构，特别有关于具有破裂阻挡功能且不需附加金属层于上的一种芯片密封环结构。

背景技术

芯片密封环通常形成于晶圆的每一个芯片的切割道(scribe line)和集成电路的周围区域(periphery region)之间，而芯片密封环由介电层和金属层交错堆栈构成，且上述金属层利用穿过上述介电层的介层孔做内部互连。当沿着切割道进行晶圆切割工艺时，芯片密封环可以阻挡由上述晶圆切割工艺造成从切割道至集成电路的不想要的应力破裂。并且，芯片密封环可以阻挡水气渗透或例如含酸物、含碱物或污染源的扩散的化学损害。在现今的半导体技术中，研发双重芯片密封环来解决更严重的破裂问题。然而，传统芯片密封环的最顶层会因为半导体组件的尺寸微缩和消费者产品的小尺寸及多功能的要求而使其破裂阻挡功能不佳。

因此，在此技术领域中，有需要一种破裂阻挡功能良好的芯片密封环结构。

发明内容

为了解决现有技术中芯片密封环的破裂阻挡功能不佳的问题，本发明提供一种新的芯片密封环结构。

本发明的一实施方式提供一种芯片密封环结构，上述芯片密封环结构包括内密封环部分，围绕集成电路区；外密封环部分，被切割道围绕，且围绕上述内密封环部分，其中上述外密封环部分具有外部顶层金属层图案，上述外部顶层金属层图案具有第一宽度，且外部顶层金属层图案延伸至内密封环部分上方，且连接至内密封环部分的内部顶层下一层金，属层图案；第一重布线图案，位于上述外部顶层金属层图案上，具有窄于上述第一宽度的第二宽度；第二重布线图案，位于上述第一重布线图案上；重布线保护层，覆盖第二重布线图案和内密封环部分，其中重布线保护层与切割道以第一距离隔开。

本发明的另一实施方式提供一种芯片密封环结构，芯片密封环结构包括内密封环部分，围绕集成电路区；外密封环部分，被切割道围绕，且围绕内密封环部分，其中外密封环部分具有外部顶层金属层图案；第一重布线图案，位于外部顶层金属层图案上；第二重布线图案，位于第一重布线图案上，其中外部顶层金属层图案、第一重布线图案和第二重布线图案与内密封环部分和外密封环部分两者重叠；重布线保护层，覆盖第二重布线图案和内密封环部分，其中外部顶层金属层图案、第一重布线图案和第二重布线图案与重布线保护层皆与切割道隔开。

本发明提供的密封环结构，能够在芯片切割工艺期间，提供良好的破裂阻挡功能。

附图说明

图1为本发明的实施方式的芯片密封环结构的剖面图。

具体实施方式

在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来称呼特定的组件。本领域的技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求书当中所提及的“包含”是开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。此外，“耦接”一词在此是包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则代表第一装置可直接电气连接于第二装置，或通过其它装置或连接手段间接地电气连接到第二装置。