[发明专利]制造包括位于支撑衬底上的功能化层的半导体结构的工艺

权利要求书

1.一种制造包括位于支撑衬底（3）上的第一功能化层（4）的半导体结构（1）的工艺，所述工艺包括以下步骤：

（a）在源衬底（2）中注入离子物质，所述源衬底（2）包括：

-所述第一功能化层（4），所述第一功能化层（4）包括位于表面的第一金属导电电极（7a），

-牺牲缓冲层（5），该牺牲缓冲层（5）相对于注入方向位于所述第一功能化层（4）下面，

所述离子物质被以限制所述源衬底（2）的上部（20）的厚度的深度注入，所述上部（20）包括所述牺牲缓冲层（5）的至少一部分、所述第一金属导电电极（7a）和所述第一功能化层（4），

（b）提供包括第二功能化层（6）的支撑衬底（3），所述第二功能化层（6）包括位于表面的第二金属导电电极（7b）；

（c）将所述源衬底（2）接合到所述支撑衬底（3），所述第一金属电极（7a）和所述第二金属电极（7b）位于接合界面（203）；

（d）使所述源衬底（2）破裂并且将所述源衬底（2）的所述上部（20）从所述源衬底（2）传递到所述支撑衬底（3）；

（e）通过相对于所述功能化层（4）的选择性蚀刻去除所述牺牲缓冲层（5）。

2.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述牺牲缓冲层（5）包括用于限定注入物质的层。

3.根据权利要求2所述的工艺，其中，所述限定区域是所述牺牲缓冲层（5）的掺杂了硼的区域。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的工艺，其中，所述牺牲缓冲层（5）的厚度在10nm到1μm之间。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺，其中，所述牺牲缓冲层（5）由二氧化硅制成。

6.根据权利要求5所述的工艺，其中，所述牺牲缓冲层（5）的选择性蚀刻是利用酸的湿法化学蚀刻，具体地，是利用氢氟酸的湿法化学蚀刻。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的工艺，其中，还应用了用于修补传递的第一功能化层（4）的缺陷的热处理，所述热处理以低于使所述第一功能化层（4）或者所述支撑衬底损坏的热预算或更高热预算的热预算进行。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的工艺，其中，所述接合步骤（c）包括以200℃到500℃之间的温度进行稳定退火。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的工艺，其中，所述第一金属电极（7a）和所述第二金属电极（7b）由选自钨、钛、铂、钴、镍和钯的金属制成。

10.根据权利要求1至9中任意一项所述的工艺，其特征在于，所述牺牲缓冲层（5）由相对于所述第一功能化层（4）的材料能够进行选择性蚀刻的材料制成。