[发明专利]大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳无效
| 申请号： | 201210263537.8 | 申请日： | 2012-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102768997A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 | 申请（专利权）人： | 江阴市赛英电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/055 | 分类号： | H01L23/055;H01L23/48 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰;曾丹 |
| 地址： | 214432 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大功率 整晶圆 igbt 陶瓷封装 外壳 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述陶瓷底座（1）包括自上而下叠合同心焊接的阳极法兰（1-1）、瓷环（1-2）和阳极密封圈（1-3），在所述阳极密封圈（1-3）内同心焊接有阳极电极（1-4），在所述瓷环（1-2）的壳壁上穿接有门极引线管（1-5），在所述门极引线管（1-5）的内、外端分别焊接有门极内插片（1-7）和门极外插片（1-6），所述上盖（3）盖置于陶瓷底座（1）上，上盖（3）包含有阴极电极（3-1）和阴极法兰（3-2），所述阴极法兰（3-2）同心焊接在阴极电极（3-1）的外缘上；所述过渡电极（2）置于阳极电极（1-4）上，在所述过渡电极（2）上设置有门极针定位孔（2-1）、门极环定位槽（2-2）和芯片定位孔（2-3）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴市赛英电子有限公司，未经江阴市赛英电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210263537.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：泵公害的减少
- 下一篇：变翼式水陆空三栖飞行器
