[发明专利]一种OLED显示器及其制造方法有效
申请号: | 201210263897.8 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN102751312A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 王海宏 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;G03F7/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 江苏省南京市仙林大道科*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种OLED显示器,包括:上基板、阵列基板、多个像素区和多个透光区,其特征在于:所述每个透光区包括:位于阵列基板上的下电极、位于上基板上的上电极、以及位于下电极与上电极之间的PDLC层。
2.根据权利要求1所述的OLED显示器,其特征在于:所述每个像素区包括:与阵列基板电性连接的像素电极、位于像素电极上的发光层、以及位于发光层上的像素阴极。
3.根据权利要求2所述的OLED显示器,其特征在于:阵列基板包括开关电路TFT器件、以及覆盖开关电路和TFT器件的绝缘层。
4.根据权利要求2所述的OLED显示器,其特征在于:所述像素区与透光区间隔排列在阵列基板上。
5.根据权利要求2所述的OLED显示器,其特征在于:所述像素阴极和上电极均由多层氧化物复合电极材料制成。
6.根据权利要求5所述的OLED显示器,其特征在于:多层氧化物复合电极材料可以为ITO/Au/ITO、或ITO/Au/ITO或ZnO/Cu/ZnO。
7.根据权利要求2所述的OLED显示器,其特征在于:所述两发光层之间设有像素限制区,所述三个相邻的发光层为RGB色层单元,所述PDLC层位于RGB色层单元外侧的像素限制区外。
8.根据权利要求5所述的OLED显示器,其特征在于:多层氧化物复合电极材料可以为ITO/Au/ITO、或ITO/Au/ITO或ZnO/Cu/ZnO。
9.一种OLED显示器的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
A):在阵列基板上制作像素电极以及下电极,下电极位于像素电极的两侧;
B):在形成上述图案的阵列基板上制作多个PDLC层;
C):在相邻两PDLC层之间制作发光层;
D):在形成上述图案的阵列基板上形成像素阴极以及PDLC的上电极后,接着贴合上透明基板。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于:所述B)的PDLC层的制作方法如下:
B1):在形成上述图案的阵列基板上涂布光刻胶;
B2):在形成上述图案的阵列基板上对像素区域的光刻胶进行曝光显影,并接着对像素区域进行发光层成膜;
B3):形成上述图案的阵列基板上余下部分光刻胶;
B4):形成上述图案的阵列基板上的透光区域注入PDLC溶液
B5):上述PDLC溶液进行UV固化,即形成PDLC层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的