[发明专利]一种OLED显示器及其制造方法有效
申请号: | 201210263897.8 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN102751312A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 王海宏 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;G03F7/00 |
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地址: | 210033 江苏省南京市仙林大道科*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示器 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种OLED显示器及其制造方法,尤其是一种透明OLED显示器及其制造方法。
背景技术
有机电激发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)由于具备自发光,故不需背光源,并由于OLED的对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。由于OLED显示器不需要偏光板,彩膜,且为主动发光显示方式,所以制作的透明OLED显示器具有较高的透明度,透明度可以达到40%以上。
图1为现有的透明OLED的像素结构,每个像素单元包括:上透明基板1、阵列基板2、位于阵列基板2上的开关电路3和TFT器件4、覆盖开关电路2和TFT器件的绝缘层11、像素区13、以及位于像素区13两侧的透光区12。其中,像素区13包括位于上透明基板1下的阴极6、位于阴极6下的发光层7、以及位于绝缘层11上像素电极5,像素电极5与TFT器件4的漏极连接。
像素光线15从发光层7中发出,依序经过像素电极5、绝缘层11、阵列基板2出光,实现画面的正常显示。显示器后方光线14通过透过区12到达显示器的前方,达到透明显示的效果。此种方式显示器透明度较高,但是无法实现透明度的调节。
发明内容
本发明的目的是提供一种透明OLED显示器及其制造方法,实现显示器透明度的调节。
本发明提供一种OLED显示器,包括:上基板、阵列基板、多个像素区和多个透光区,所述每个透光区包括:位于阵列基板上的下电极、位于上基板下的上电极、以及位于下电极与上电极之间的PDLC层。
本发明又提供一种OLED显示器的制造方法,包括:
A):在阵列基板上制作像素电极以及下电极,下电极位于像素电极的两侧;
B):在形成上述图案的阵列基板上制作多个PDLC层;
C):在相邻两PDLC层之间制作发光层;
D):在形成上述图案的阵列基板上形成像素阴极以及PDLC的上电极后,接着贴合上透明基板。
本发明通过在像素电极和像素阴极两侧之间形成聚合物分散液晶层(PDLC),可以调节PDLC两侧的ITO电压,实现透明度的调节,由于ITO不适合作为有机发光层阴极,所以采用由金属材料制成作为有机发光层像素阴极。
通过使用PDLC作为实现透明度的调节,具有如下效果:
1.PDLC为固态光开关,无需扩散板与OLED制程兼容。
2.PDLC层同时起到像素间隔区的作用,防止发光层阴阳极短路。
3.PDLC与金属阴极供给同样电压,防止因制程偏差导致短路。
附图说明
图1为现有透明OLED显示器结构示意图;
图2为本发明第一实施例结构示意图;
图3为形成像素电极和下透明电极示意图;
图4为形成光刻胶示意图;
图5为在光刻胶上形成凹坑示意图;
图6为在凹坑注入PDLC溶液示意图;
图7为UV固化示意图;
图8为光刻胶剥离示意图;
图9为形成发光层示意图;
图10为形成阴极和上透明电极以及上透明基板的示意图;
图11为本发明第二实施例示意图;
图12为本发明第三实施例示意图;
图13为本发明第四实施例示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
聚合物分散液晶,又称为PDLC(Plymer Dpersed Lquid Crystal),PDLC是液晶以微米量级的小微滴分散在有机固态聚合物基体内,由于由液晶分子构成的小微滴的光轴处于自由取向,其折射率与基体的折射率不匹配,当光通过基体时被微滴强烈散射而呈不透明的乳白状态或半透明状态。施加电场可调节液晶微滴的光轴取向,当两者折射率相匹配时,呈现透明态。除去电场,液晶微滴有恢复最初的散光状态,从而进行显示。
图2至图10为本发明的第一实施例的结构示意图。
图2所示为一种OLED透明显示器结构示意图,本OLED透明显示器的每个像素单元包括:上透明基板1、阵列基板、像素区13、以及透光区12。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的