[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在绝缘基板上形成包括栅极和栅线的图形；

S2：在经过步骤S1之后的基板上形成栅绝缘层、有源层图形、源/漏极图形和数据线图形；

S3：在经过步骤S2之后的基板上通过一次mask形成钝化层图形及像素电极图形，使所述像素电极图形与所述源/漏极图形接触，且覆盖在所述栅绝缘层上。

2.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

在所述透明绝缘基板上形成一层栅金属薄膜；

在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶，并通过对光刻胶的曝光、显影保留栅极图形区域的光刻胶；

刻蚀掉暴露出的栅金属薄膜并剥离剩余的光刻胶，形成包括栅极和栅线的图形。

3.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

在形成包括栅极和栅线的图形的基板上依次形成栅绝缘层薄膜、有源层薄膜及源漏极金属薄膜，并在所述源漏极金属薄膜上涂覆光刻胶；

采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，保留源极区域和漏极区域对应的光刻胶及沟道区域对应的光刻胶，且沟道区域对应的光刻胶的厚度小于源极区域和漏极区域对应的光刻胶；

刻蚀掉暴露出的源漏极金属薄膜和有源层薄膜，经过灰化处理去掉所述沟道区域对应的光刻胶，并刻蚀源漏金属薄膜形成沟道；

剥离剩余的光刻胶形成栅绝缘层、有源层图形、源/漏极图形和数据线图形。

4.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：

在形成栅绝缘层、有源层图形、源/漏极图形和数据线图形的基板上形成钝化层薄膜，并在所述钝化层薄膜上涂覆第一光刻胶；

对第一光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全不保留区域，所述光刻胶完全不保留区域对应部分漏极区域和像素电极区域，所述光刻胶完全保留区域对应所述光刻胶完全不保留区域以外的区域；

通过刻蚀工序将所述光刻胶完全不保留区域中的所述钝化层薄膜去除，以暴露出部分漏极和像素电极区域；

继续形成像素电极金属薄膜，并在所述像素电极金属薄膜上涂覆第二光刻胶，并对所述第二光刻胶进行平坦化处理，对应所述栅极、源/漏极、钝化层上方保留所述第一光刻胶，所述第一光刻胶上方的第二光刻胶厚度小于对应所述部分漏极区域和所述像素电极区域上的所述第二光刻胶的厚度；

对所述第二光刻胶进行灰化处理，暴露出所述第一光刻胶上方的像素电极金属层，并保留所述部分漏极区域和所述像素电极区域的所述第二光刻胶；

通过刻蚀工艺去除所述第一光刻胶上方的像素电极金属层；

剥离保留的所述第一光刻胶和所述第二光刻胶，以形成像素电极图形。

5.如权利要求4所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶为粘度在2~4mpas范围内的光刻胶。

6.如权利要求5所述的阵列基板制作方法，其特征在于，通过旋转基板的方式使所述具有流动性的光刻胶平坦化。

7.一种阵列基板，包括形成在绝缘基板上的栅线、栅绝缘层、数据线及形成在所述栅线和数据线之间的像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述栅绝缘层位于所述栅线和所述薄膜晶体管的栅极之上，其特征在于，所述像素电极位于所述栅绝缘层之上，且与所述薄膜晶体管的漏极连接。

8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成在所述源/漏极和所述数据线之上的钝化层。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7或8所述的阵列基板。