[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着液晶的使用越来越广泛，因此液晶面板的生产竞争也日趋激烈，成本的降低对于液晶生产来说至关重要。目前大部分的TFT面板制作工艺是4mask或者5mask技术(掩膜工艺)，即需要通过4次或者5次曝光显影才能达到要求，而目前TFT的制作工艺中花费最大，所需要时间最长的就是显影曝光，因此降低mask的次数对于成本的降低是有着重要意义的。传统的3mask工艺一般要使用两次灰度掩模技术，而减少灰度掩模技术对提高生产效率和产品良品率有着一定的帮助。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何降低阵列基板制作的工艺成本。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板制作方法，包括以下步骤：

S1：在绝缘基板上形成包括栅极和栅线的图形；

S2：在经过步骤S1之后的基板上形成栅绝缘层、有源层图形、源/漏极图形和数据线图形；

S3：在经过步骤S2之后的基板上通过一次mask形成钝化层图形及像素电极图形，使所述像素电极图形与所述源/漏极图形接触，且覆盖在所述栅绝缘层上。

其中，所述步骤S1具体包括：

在所述透明绝缘基板上形成一层栅金属薄膜；

在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶，并通过对光刻胶的曝光、显影保留栅极图形区域的光刻胶；

刻蚀掉暴露出的栅金属薄膜并剥离剩余的光刻胶，形成包括栅极和栅线的图形。

其中，所述步骤S2具体包括：

在形成包括栅极和栅线的图形的基板上依次形成栅绝缘层薄膜、有源层薄膜及源漏极金属薄膜，并在所述源漏极金属薄膜上涂覆光刻胶；

采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，保留源极区域和漏极区域对应的光刻胶及沟道区域对应的光刻胶，且沟道区域对应的光刻胶的厚度小于源极区域和漏极区域对应的光刻胶；

刻蚀掉暴露出的源漏极金属薄膜和有源层薄膜，经过灰化处理去掉所述沟道区域对应的光刻胶，并刻蚀源漏金属薄膜形成沟道；

剥离剩余的光刻胶形成栅绝缘层、有源层图形、源/漏极图形和数据线图形。

其中，所述步骤S3具体包括：

在形成栅绝缘层、有源层图形、源/漏极图形和数据线图形的基板上形成钝化层薄膜，并在所述钝化层薄膜上涂覆第一光刻胶；

对第一光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全不保留区域，所述光刻胶完全不保留区域对应部分漏极区域和像素电极区域，所述光刻胶完全保留区域对应所述光刻胶完全不保留区域以外的区域；

通过刻蚀工序将所述光刻胶完全不保留区域中的所述钝化层薄膜去除，以暴露出部分漏极和像素电极区域；

继续形成像素电极金属薄膜，并在所述像素电极金属薄膜上涂覆第二光刻胶，并对所述第二光刻胶进行平坦化处理，对应所述栅极、源/漏极、钝化层上方保留所述第一光刻胶，所述第一光刻胶上方的第二光刻胶厚度小于对应所述部分漏极区域和所述像素电极区域上的所述第二光刻胶的厚度；

对所述第二光刻胶进行灰化处理，暴露出所述第一光刻胶上方的像素电极金属层，并保留所述部分漏极区域和所述像素电极区域的所述第二光刻胶；

通过刻蚀工艺去除所述第一光刻胶上方的像素电极金属层；

剥离保留的所述第一光刻胶和所述第二光刻胶，以形成像素电极图形。

其中，所述第二光刻胶为粘度在2~4mpas范围内的光刻胶。

其中，通过旋转基板的方式使所述具有流动性的光刻胶平坦化。

本发明还提供了一种阵列基板，包括形成在绝缘基板上的栅线、栅绝缘层、数据线及形成在所述栅线和数据线之间的像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述栅绝缘层位于所述栅线和所述薄膜晶体管的栅极之上，所述像素电极位于所述栅绝缘层之上，且与所述薄膜晶体管的漏极连接。

其中，所述阵列基板还包括形成在所述源/漏极和所述数据线之上的钝化层。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

(三)有益效果